因此，需要對其粒徑的分布進行測試。而目前對炭黑的粒徑測量方法為差速沉淀法。由于常用的炭黑粒徑比較均勻，在測試時粒徑的分布常呈現正態曲線分布，但在裂解后炭黑中混有橡膠纖維，導致粒徑變大，不同粒徑炭黑的含量不同，不再呈現均勻的正態分布。造成樣品的測試比較困難。美國CPS24000納米粒度分析儀可以真實反映樣品在溶液中的真實粒徑分布狀態，粒徑測試結果的精確度只次于掃描電鏡。主要特點如下：所需樣品量少，每次只需要0.1ml，這在疫苗研發、化學合成方面具有較大的優勢。馳光機電用先進的生產工藝和規范的質量管理，打造優良的產品！江西CPS高精度納米粒度分析儀廠家

激光檢測器同時檢測顆粒對光的散射程度，根據米氏散射理論，得出不同尺寸顆粒的相對含量，從而得到顆粒粒徑的分布曲線。主要參數：測量范圍：0.005-75μm，光源：405nmLED，旋轉速度：12.000RPM、18.000RPM、24.000RPM，標準分析圓盤：CR-39聚合物（耐有機溶劑和水溶液），可選 配：低密度樣品分析擴展、變速圓盤；自動密度梯度液生成器（型號AG300）；自動進樣器（型號AS200）；標定用標準顆粒。半導體CMP用拋光墊、清洗液、修整盤、拋光液、納米研磨粒子以及OLED顯示光敏聚酰亞胺、封裝墨水、低溫光阻材料等20余款“卡脖子”材料。西藏納米粒度分析儀哪家好馳光機電科技產品適用范圍廣，產品規格齊全，歡迎咨詢。

對于粒徑分布范圍很寬的樣品，通過可選的速度調節功能圓盤，只需常規圓盤分析時間的1/20。經過CPS納米粒度儀對裂解后炭黑進行粒徑測試后的結果所示：與掃描電鏡所顯示的結果基本一致，裂解后的炭黑較小粒徑為3um，較大可至50多微米，并且出現很多峰值，證明樣液中具有不同粒徑且含量不同的的炭黑。峰值粒徑處于30um左右。真實反映了不同炭黑粒徑的分布狀態。隨著半導體工業飛速發展，電子器件尺寸縮小，要求晶片表面平整度達到納米級。作為芯片制造不可或缺的一環，CMP工藝在設備和材料領域歷來是受歡迎的。

磨料的粒度測量：以上我們了解到磨料在CMP工藝中起到了關鍵性的作用，CMP磨料顆粒的典型尺寸范圍是50-250納米，典型的過大聚集體為1-10微米，并出現在ppm范圍內。顆粒表征的挑戰來自于精確確定納米級顆粒尺寸，同時還識別出相對較少的微米級聚集體。CPS納米粒度分析儀表征磨料顆粒粒度的有力工具。它可以分析任何粒度分布介于0.005和75微米的顆粒，提供比其他粒度分析方法好2到10倍的分辨率。較小峰值寬度可小至峰值直徑的2%，粒徑差別在大于3%的窄峰可以被完全分辨出來。馳光始終以適應和促進發展為宗旨。

CMP漿料粒度分析的難點在于必須在拋光過程中全濃度條件下快速測定平均顆粒直徑和粒度分布，因為稀釋可能導致漿料穩定性和粒度的變化(比如進一步的團聚或解聚)，另外在稀釋后的漿料中很難檢測本來就較少量的團聚體。CPS-24000型納米粒度分析儀是較新型的納米粒度分析儀，它采用斯托克斯定律分析方法，V=D2(ρP-ρF)G/18η，即顆粒沉降的速度與顆粒的尺寸平方成正比來進行粒度的測量，因此粒徑相差小至1%的顆粒都可以明顯分辨出來。適用于稀到高濃度的樣品粒度測定，對團聚體的存在非常敏感。馳光機電熱忱歡迎新老客戶惠顧。天津高純度氧化鋁粉粒度在線分析儀價格

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技術優勢：CPS系統優良性能的基礎是它先進的示差沉降技術。高轉速：CPS可以支持的較高轉速為24,000轉/分。對于超細顆粒，其分析速度比其它產品快倍。使用速度調節技術，可以對粒度分布范圍較廣的樣品進行分析。對于在其它分析儀上很多非常耗時(數小時或更長)的樣品，CPS可以快速得到結果。高精度標定：CPS系統使用已知的標定顆粒進行標定，與美國國家標準和技術研究院(NIST)相兼容的標準保證了分析結果的一致性和精確度。使用內標法，也即把已知標定顆粒與待分析樣品相混合，所得的峰值結果可以達到±0.25%的精度。江西CPS高精度納米粒度分析儀廠家