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此外,空氣中的灰塵顆粒也是一個(gè)重要的影響因素。如果灰塵顆粒落入超純水樣品中或者附著在測(cè)量電極上,會(huì)影響電極與超純水之間的接觸,并且灰塵中可能含有可溶物質(zhì),這些物質(zhì)溶解后會(huì)干擾測(cè)量結(jié)果,使電阻率降低。周圍環(huán)境中的電磁干擾也會(huì)對(duì)超純水電阻率測(cè)量產(chǎn)生影響。例如,附近的大型電機(jī)、變壓器、高頻通信設(shè)備等產(chǎn)生的電磁場(chǎng),可能會(huì)在測(cè)量電路中感應(yīng)出額外的電流。這些感應(yīng)電流會(huì)干擾測(cè)量電極之間的正常電流信號(hào),導(dǎo)致測(cè)量的電阻率出現(xiàn)偏差。在強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下,測(cè)量?jī)x器的電子元件也可能會(huì)受到影響,從而影響信號(hào)處理和顯示單元的準(zhǔn)確性。例如,電磁干擾可能會(huì)導(dǎo)致電阻率儀顯示的數(shù)值出現(xiàn)跳動(dòng)或者不準(zhǔn)確的情況。超純水在紡織印染行業(yè)用于品質(zhì)染料配制。湖南進(jìn)口超純水項(xiàng)目
系統(tǒng)恢復(fù)與運(yùn)行調(diào)整,根據(jù)清洗后膜性能測(cè)試結(jié)果,對(duì)反滲透系統(tǒng)進(jìn)行必要的運(yùn)行調(diào)整。如果產(chǎn)水量仍未達(dá)到預(yù)期,可適當(dāng)調(diào)整進(jìn)水壓力或濃水排放流量,但要注意不能超過(guò)膜組件的額定壓力和流量范圍。檢查和維護(hù)系統(tǒng)的預(yù)處理設(shè)備,如機(jī)械過(guò)濾器、活性炭過(guò)濾器等,確保預(yù)處理效果良好,防止再次快速污染反滲透膜。例如,檢查過(guò)濾器的濾芯是否需要更換,活性炭是否飽和等。記錄清洗過(guò)程和清洗后系統(tǒng)的運(yùn)行數(shù)據(jù),建立清洗檔案,為今后的清洗操作和系統(tǒng)維護(hù)提供參考依據(jù)。在整個(gè)清洗過(guò)程中,要嚴(yán)格遵守安全操作規(guī)程,操作人員應(yīng)穿戴防護(hù)眼鏡、手套、防護(hù)服等防護(hù)用品,防止化學(xué)藥劑接觸皮膚和眼睛。同時(shí),要密切關(guān)注清洗設(shè)備的運(yùn)行情況,如有異常應(yīng)及時(shí)停止清洗并進(jìn)行排查處理。微生物指標(biāo):如果反滲透膜受到微生物污染,清洗后可以通過(guò)檢測(cè)水中的細(xì)菌、病毒、藻類等微生物指標(biāo)來(lái)判斷清洗效果。例如,采用平板計(jì)數(shù)法檢測(cè)細(xì)菌菌落數(shù),清洗后產(chǎn)水中的細(xì)菌菌落數(shù)應(yīng)低于檢測(cè)方法的最低檢出限,或者至少比清洗前降低幾個(gè)數(shù)量級(jí),如從清洗前的每毫升 100 個(gè)菌落降低到每毫升 10 個(gè)菌落以下。廣東加工超純水超純水的生產(chǎn)需防止原水的季節(jié)性污染波動(dòng)。
進(jìn)水調(diào)節(jié):調(diào)節(jié)預(yù)處理后的水的壓力、流量和溫度等參數(shù),使其符合反滲透系統(tǒng)的運(yùn)行要求。一般來(lái)說(shuō),進(jìn)水壓力需根據(jù)反滲透膜的規(guī)格和型號(hào)確定,通常在 1-3MPa 之間;進(jìn)水溫度宜控制在 20℃-30℃,以保證反滲透膜的分離效果和運(yùn)行穩(wěn)定性3.反滲透過(guò)濾:在高于原水滲透壓的壓力作用下,使原水通過(guò)反滲透膜,水分子透過(guò)膜形成純水,而有機(jī)污染物、無(wú)機(jī)鹽離子、膠體、微生物等雜質(zhì)則被截留,隨濃水排出系統(tǒng)。反滲透膜的選擇至關(guān)重要,需根據(jù)進(jìn)水水質(zhì)、處理要求和膜的性能特點(diǎn)等因素綜合確定,如聚酰胺復(fù)合膜具有較高的脫鹽率和抗污染能力,適用于處理超純水中的有機(jī)污染物45.沖洗與維護(hù):反滲透系統(tǒng)運(yùn)行一段時(shí)間后,膜表面會(huì)逐漸積累污染物,導(dǎo)致通量下降和水質(zhì)變差。因此,需要定期對(duì)反滲透膜進(jìn)行沖洗,以去除表面的污垢和雜質(zhì)。一般采用低壓大流量的水進(jìn)行沖洗,沖洗時(shí)間根據(jù)污染程度而定,通常為 10-30 分鐘。
電子行業(yè) 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,超純水的應(yīng)用極為關(guān)鍵。芯片制造過(guò)程中,從硅片的清洗、光刻、蝕刻到離子注入等各個(gè)工序,都需要超純水。例如,在硅片清洗過(guò)程中,超純水可以有效去除硅片表面的顆粒、有機(jī)物和金屬離子等雜質(zhì)。因?yàn)樾酒木€寬非常小,微小的雜質(zhì)顆粒都可能導(dǎo)致芯片短路或出現(xiàn)性能問(wèn)題。在光刻工藝中,超純水用于沖洗光刻膠,確保光刻圖案的準(zhǔn)確性。其高純度能夠避免水中雜質(zhì)對(duì)光刻膠的溶解特性產(chǎn)生影響,從而保障芯片的高精度制造。 對(duì)于電子元器件的生產(chǎn),如電路板的制作,超純水也不可或缺。它用于清洗電路板,去除焊接過(guò)程中產(chǎn)生的助焊劑殘留物、金屬屑等雜質(zhì)。這些雜質(zhì)如果殘留在電路板上,可能會(huì)引起電路的腐蝕或短路,影響電子產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。超純水在影視制作中用于道具制作與清洗。
雜質(zhì)含量:原水(如自來(lái)水、地表水或地下水)中的雜質(zhì)種類和含量是影響超純水質(zhì)量的首要因素。如果原水中含有大量的溶解性固體,包括鈣、鎂、鈉等陽(yáng)離子和氯、硫酸根等陰離子,會(huì)增加后續(xù)處理的難度。例如,原水中高濃度的鈣、鎂離子可能導(dǎo)致在管道和設(shè)備中形成水垢,影響設(shè)備的運(yùn)行效率和超純水的質(zhì)量。此外,原水中的有機(jī)物含量也很關(guān)鍵,像腐殖酸、富里酸等天然有機(jī)物,會(huì)在后續(xù)的處理過(guò)程中與消毒劑或其他化學(xué)藥劑發(fā)生反應(yīng),生成副產(chǎn)物,影響超純水的純度。微生物污染:原水中的微生物,如細(xì)菌、病毒、藻類等,也是重要的影響因素。微生物的存在可能會(huì)在超純水制備系統(tǒng)中繁殖,堵塞過(guò)濾器和膜組件,并且其代謝產(chǎn)物還會(huì)增加水中的有機(jī)物和營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)含量。例如,細(xì)菌在水中生長(zhǎng)繁殖會(huì)分泌胞外聚合物,這些物質(zhì)可能會(huì)附著在反滲透膜或離子交換樹(shù)脂上,降低它們的性能。活性炭吸附在超純水制備中去除部分有機(jī)與余氯。湖南進(jìn)口超純水項(xiàng)目
超純水在電池制造中用于電解液的調(diào)配。湖南進(jìn)口超純水項(xiàng)目
總有機(jī)碳(TOC)的檢測(cè)方法,紫外氧化 - 非色散紅外探測(cè)法,原理:在樣品進(jìn)入紫外反應(yīng)器之前去除無(wú)機(jī)碳,然后通過(guò)紫外光照射使有機(jī)物質(zhì)氧化為二氧化碳,再后利用 NDIR 進(jìn)行定量檢測(cè)。 適用范圍:適用于原水、工業(yè)用水等水體的 TOC 檢測(cè)。 優(yōu)點(diǎn):結(jié)合了紫外光氧化和 NDIR 檢測(cè)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),具有快速、準(zhǔn)確、不接觸檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn),可有效氧化大部分有機(jī)物。 缺點(diǎn):對(duì)于顆粒狀有機(jī)物、藥物、蛋白質(zhì)等高含量 TOC 的水樣可能不適用,且紫外燈的使用壽命有限,需要定期更換。湖南進(jìn)口超純水項(xiàng)目