識別“隱裂”的方法EL(Electroluminescence，電致發光)是一種太陽能電池或組件的內部缺點檢測設備，是簡單有效的檢測隱裂的方法。利用晶體硅的電致發光原理，通過辨率的紅外相機拍攝組件的近紅外圖像，獲取并判定組件的缺點。具有靈敏度高、檢測速度快、結果直觀形象等優點。形成“隱裂”的原因外力：電池片在焊接、層壓、裝框或搬運、安裝、施工等過程中會受外力，當參數設置不當、設備故障或操作不當時會造成隱裂。高溫：電池片在低溫下沒有經過預熱，然后在短時間內突然受到高溫后出現膨脹會造成隱裂現象，如焊接溫度過高、層壓溫度等參數設置不合理。原材料：原材料的缺點也是導致隱裂的主要因素之一。上海歐普泰科技創業股份有限公司是一家專業提供檢測的公司，有想法的不要錯過哦！山東光伏檢測儀器
EL（Electroluminescence，電致發光）是簡單有效的檢測隱裂的方法。其檢測原理如下。電池片的部分是半導體PN結，在沒有其它激勵（例如光照、電壓、溫度）的條件下，其內部處于一個動態平衡狀態，電子和空穴的數量相對保持穩定。如果施加電壓，半導體中的內部電場將被削弱，N區的電子將會被推向P區，與P區的空穴復合（也可理解為P區的空穴被推向N區，與N區的電子復合），復合之后以光的形式輔射出去，即電致發光。當被施加正向偏壓之后，晶體硅電池就會發光，波長1100nm左右，屬于紅外波段，肉眼觀測不到。因此，在進行EL測試時，需利用CCD相機輔助捕捉這些光子，然后通過計算機處理后以圖像的形式顯示出來。給晶硅組件施加電壓后，所激發出的電子和空穴復合的數量越多，其發射出的光子也就越多，所測得的EL圖像也就越亮；如果有的區域EL圖像比較暗，說明該處產生的電子和空穴數量較少，該處存在缺點；如果有的區域完全是暗的，該處沒有發生電子和空穴的復合，也或者是所發光被其它障礙所遮擋，無法檢測到信號。北京視覺檢測儀器廠家上海歐普泰科技創業股份有限公司檢測服務值得放心。
對于整體組件在封裝成后，如何把控質量與技術呢?這就會出現各種各樣的問題。目前，組件質量的把控能力，主要通過樣品的測試結果來反映。組件的發電量會根據接受的輻照度呈現不規則線性變化。通過低輻照度下電性能測試，可以有效了解產品是否適合在日照條件較差的地區使用。由于組件老化、缺陷或者環境遮蔽會導致過熱現象。通過熱斑測試，可以確定組件耐熱斑熱效應的能力。在溫度較高地區容易出現由于接地條件差異和電勢差導致的性能衰減。通過PID電致衰減測試，可以研究組件及系統電勢對組件性能衰減的影響。在保證零部件可靠性的同時，組件的密封性能將直接影響封裝在組件的使用壽命。通過EVA剝離強度測量，定量測量組件封裝強度，可有效避免因封裝工藝的缺陷導致的損失。無論封裝技術如何發展，都必須保證玻璃與EVA之間的剝離強度不能低于40N/CM。否則，組件的可靠性將成為比較大的問題。
太陽能電池有哪些缺點呢?黑心片:EL照片反射的黑心膜形成的主要原因是該區域沒有發出1150紅外光，導致黑心片在紅外照片中反射。這種黑色芯板是由于在中心部分的高電阻率而形成的。它與硅襯底的少數載流子濃度有關。黑色電影:在生產過程中,由于反復強調縮短的定向凝固時間晶體,潛熱釋放融化和溫度場溫度梯度不匹配,晶體生長速率加快,過度的熱應力引起的內部位錯硅片。短路黑片:由單根線焊接元件引起的短路;元器件層壓前電池電池效率低下所形成的短路黑膜;邊緣明亮的黑色薄膜稱為非短路黑色薄膜。主要是由于n型芯片在硅片的錯誤使用中，導致PN結，短路電池無法提供外部電源，輸出功率和IV測試曲線也降低。導致整個元件功率和填充系數受到影響。電池柵極:電池柵極是由于太陽能電池絲網印刷過程中參數設置不當或絲網印刷質量不合格造成的。輕微的柵極斷口對元件來說不是很重要，但如果柵極嚴重，影響單片電池的電流會影響整個元件的電氣性能。檢測，就選上海歐普泰科技創業股份有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！
EL英文全稱ElectroLuminescence，即電致發光，也可以叫電子發光檢測。通過利用晶體硅的電致發光原理，配合辨率的紅外相機拍攝晶體硅的近紅外圖像，通過圖像軟件對獲取成像圖像進行分析處理從而對太陽能電池片、光伏組件等的缺點判定。目前EL檢測應用在光伏行業方面，如光伏組件的缺點檢測、太陽能電池片內部缺點檢測、硅片隱裂檢測等。在光伏組件、光伏電站中采用便攜式的EL檢測儀，可以適應不同環境、不同場所的應用，方便其對光伏組件產生的內部缺點進行快速識別判斷。上海歐普泰科技創業股份有限公司為您提供檢測，有想法的不要錯過哦！北京視覺檢測儀器價格
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電位誘發衰減效應是電池組件長期在高電壓作用下，使玻璃、封裝材料之間存在漏電流，大量電荷狙擊在電池片表面，使得電池表面的鈍化效果惡化，導致組件性能低于設計標準。PID現象嚴重時，會引起一塊組件功率衰減50%以上，從而影響整個組串的功率輸出。系統設計原因：光伏電站的防雷接地是通過將方陣邊緣的組件邊框接地實現的，這就造成在單個組件和邊框之間形成偏壓，組件所處偏壓越高則發生PID現象越嚴重。對于P型晶硅組件，通過有變壓器的逆變器負極接地，消除組件邊框相對于電池片的正向偏壓會有效的預防PID現象的發生，但逆變器負極接地會增加相應的系統建設成本;山東光伏檢測儀器
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