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是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的，它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)，電極引腳向下，面對(duì)標(biāo)有字符的一面)。市場(chǎng)上*常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列。關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅（晶閘管）開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅（晶閘管）要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)...

總要先關(guān)掉照明燈。可如果燈開關(guān)不在門口，那么關(guān)上燈再摸黑走到門口，十分不方便。本文介紹的一種開關(guān)只用9個(gè)元件，可方便地加在原來(lái)的開關(guān)上，使您的燈在關(guān)掉后延時(shí)幾十秒鐘，讓您有充足的時(shí)間離開房間，免受摸黑之苦。工作原理：電路原理如下圖所示。A、B分別接在原開關(guān)兩端。合上開關(guān)S時(shí)，交流電的正半周經(jīng)D6、R2、R1、D1和可控硅控制極，觸發(fā)可控硅導(dǎo)通；交流電的負(fù)半周經(jīng)D4、R2、R1、D1和可控硅控制極，觸發(fā)可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后，相當(dāng)于短路C、D兩點(diǎn)，因而A、B兩點(diǎn)也經(jīng)過(guò)二極管和導(dǎo)通的可控硅閉合起來(lái)。此時(shí)照明燈亮。斷開開關(guān)S后，由于電容C1經(jīng)R1、D1和可控硅控制極放電，使可控硅仍有觸發(fā)電流維持導(dǎo)...

可控硅模塊分為壓接式和焊接式，兩者有什么區(qū)別呢？可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、方便操作、安全可靠等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于電氣行業(yè)起著至關(guān)重要的作用，它的分類也是比較多，不同類型具有不同的功能，下面正高電氣來(lái)說(shuō)說(shuō)壓接式可控硅模塊和焊接式可控硅模塊的區(qū)別有哪些？①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的。③眾所周知，壓接式...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊...

觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí)，無(wú)論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中，為了使每—周波重復(fù)在相同位置上...

用萬(wàn)用表DC10V檔測(cè)C2兩端電壓應(yīng)為5V－6V之間，若不正常，應(yīng)重點(diǎn)檢查整流穩(wěn)壓電路，然后再分別按動(dòng)SB1－SB4開關(guān)，觀察各路指示管VD1－VD8應(yīng)按對(duì)應(yīng)的選擇功能發(fā)光或熄滅，風(fēng)扇也應(yīng)同步工作于不同狀態(tài)。采用TVVH9238-LC901及MAC97A6的多功能無(wú)線電遙控電風(fēng)扇電路介紹的電風(fēng)扇無(wú)線遙控調(diào)速器是采用4位遙控模塊和一塊風(fēng)扇調(diào)速集成電路，它可將普通電風(fēng)扇改造成無(wú)線電遙控多功能調(diào)速風(fēng)扇。工作原理電風(fēng)扇無(wú)線遙控調(diào)速器的風(fēng)扇接收部分電路原理圖如圖1所示。發(fā)射部分是一個(gè)4位TWH9236匙扣式發(fā)射器，其A鍵用作風(fēng)速（SPEED）調(diào)節(jié)、B鍵為風(fēng)類（MODE）調(diào)節(jié)，C鍵為定時(shí)（TIME）設(shè)定，...

面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風(fēng)扇不轉(zhuǎn)。若這時(shí)每按動(dòng)一次風(fēng)速選擇鍵SB3，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號(hào)），經(jīng)發(fā)光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4，分別觸發(fā)雙向晶閘管VS1－VS3的G極，用以控制它的導(dǎo)通與截止，再經(jīng)電抗器L進(jìn)行阻抗變換，即可按強(qiáng)風(fēng)、中風(fēng)、弱風(fēng)、強(qiáng)風(fēng)……的順序來(lái)改變其工作狀態(tài)，并且風(fēng)速指示管VD1－VD3（紅色）對(duì)應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅；當(dāng)按風(fēng)型選擇鍵SB4，電風(fēng)扇即按連續(xù)風(fēng)（常風(fēng)）、陣風(fēng)（模擬自然風(fēng)）、連續(xù)風(fēng)……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài)，在連續(xù)風(fēng)狀態(tài)下，風(fēng)型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風(fēng)狀態(tài)下，VD4閃光；當(dāng)按動(dòng)定時(shí)時(shí)間選擇鍵SB2，定時(shí)指示管VD...

維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動(dòng)作較為準(zhǔn)確。如果將負(fù)載換為繼電器，即可控制大電流工作的負(fù)載。可控硅是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、動(dòng)作快以及使用方便等優(yōu)點(diǎn)，活動(dòng)導(dǎo)入以可控硅實(shí)際應(yīng)用案例的展示，以激發(fā)學(xué)生的活動(dòng)興趣。可控硅控制電路的制作13例：1：可調(diào)電壓插座電路如圖，可用于調(diào)溫（電烙鐵）、調(diào)光（燈）、調(diào)速（電機(jī)），使用時(shí)只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調(diào)節(jié)RP可使插座上的電壓發(fā)生變化。2：簡(jiǎn)易混合調(diào)光器根據(jù)電學(xué)原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90。根據(jù)這一原理，把C1和...

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，E接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1.直流觸發(fā)電路：如...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使...

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達(dá)到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家，已有明文規(guī)定對(duì)電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國(guó)內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對(duì)諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí)，可通過(guò)加裝濾波設(shè)備來(lái)有效降低諧波污染。近年來(lái)，許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系...

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點(diǎn)/可控硅模塊編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其...

面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風(fēng)扇不轉(zhuǎn)。若這時(shí)每按動(dòng)一次風(fēng)速選擇鍵SB3，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號(hào)），經(jīng)發(fā)光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4，分別觸發(fā)雙向晶閘管VS1－VS3的G極，用以控制它的導(dǎo)通與截止，再經(jīng)電抗器L進(jìn)行阻抗變換，即可按強(qiáng)風(fēng)、中風(fēng)、弱風(fēng)、強(qiáng)風(fēng)……的順序來(lái)改變其工作狀態(tài)，并且風(fēng)速指示管VD1－VD3（紅色）對(duì)應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅；當(dāng)按風(fēng)型選擇鍵SB4，電風(fēng)扇即按連續(xù)風(fēng)（常風(fēng)）、陣風(fēng)（模擬自然風(fēng)）、連續(xù)風(fēng)……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài)，在連續(xù)風(fēng)狀態(tài)下，風(fēng)型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風(fēng)狀態(tài)下，VD4閃光；當(dāng)按動(dòng)定時(shí)時(shí)間選擇鍵SB2，定時(shí)指示管VD...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來(lái)講，焊接式的模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有...

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達(dá)到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家，已有明文規(guī)定對(duì)電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國(guó)內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對(duì)諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí)，可通過(guò)加裝濾波設(shè)備來(lái)有效降低諧波污染。近年來(lái)，許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系...

T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過(guò)T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過(guò)零點(diǎn)時(shí)，可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí)，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。2：元器件選擇調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21...

晶閘管的主要工作原理及特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái)，通過(guò)開關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過(guò)按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管，若采用KP1型，應(yīng)接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說(shuō)，給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。現(xiàn)在我們合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮，說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通；再按一下按鈕開關(guān)SB，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?圖3這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽(yáng)極A與...

可控硅模塊自身特點(diǎn)，在應(yīng)用時(shí)盡量避開Ⅳ象限。如果工作沒(méi)有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。雙向可控硅模塊象限分布圖和說(shuō)明：一象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(+)第二象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(-)第三象限：T1(+)T2(-)，G相對(duì)T1為(-)淄博正高電氣有限公司是一家專注于功率模塊研發(fā)、封裝、銷售的****。我司專業(yè)研發(fā)、封裝團(tuán)隊(duì)具有十年以上的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)與國(guó)外眾多行業(yè)的通力合作，研發(fā)出獨(dú)特的一次焊接工藝，配合公司先進(jìn)的生產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備解決了熱阻大、過(guò)流小、空洞率高等業(yè)界難題。為公司提供一系列優(yōu)良、高性能的功率模塊。目前公司主要產(chǎn)品；可...

淄博正高電氣有限公司的可控硅模塊一種晶閘管模塊組件。能解決現(xiàn)有的晶閘管組件存在的問(wèn)題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元，散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓；晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導(dǎo)電塊、第二芯片、第二導(dǎo)電塊、上電極；絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件，絕緣膠體包裹在自導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊中下部開始經(jīng)過(guò)陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上，絕緣膠體橫向外側(cè)由絕緣殼體包裹，下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充，下電極的左側(cè)通過(guò)絕緣件隔離，緊固螺栓外側(cè)套接所述絕緣套管。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單新穎，操作及使用方便且實(shí)用性強(qiáng)...

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點(diǎn)/可控硅模塊編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏鳎缘碗妷嚎刂聘唠妷骸？煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí)，萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，測(cè)其反向電阻，應(yīng)...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽(yáng)極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。可控硅模塊的控制方式：通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金...

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū)，是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品，并可根據(jù)用戶需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工。近年來(lái)，本公司堅(jiān)持以人為本，始終立足于科技的前沿，狠抓產(chǎn)品質(zhì)量，產(chǎn)品銷往全國(guó)各地，深受用戶的好評(píng)。淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步，在社會(huì)各界及客戶的大力支持下，生機(jī)勃發(fā)，春意盎然。面向未來(lái)，前程似錦，豪情滿懷。今后，我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì)，堅(jiān)持科技創(chuàng)新，一切為用戶著想，以前列的服...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏鳎缘碗妷嚎刂聘唠妷骸？煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí)，萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，測(cè)其反向電阻，應(yīng)...

模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選取：1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和...

大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。現(xiàn)在我畫一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的...