高溫碳化爐在碳納米管生長中的應用:碳納米管具有優異的力學、電學和熱學性能,高溫碳化爐是制備碳納米管的重要設備。在化學氣相沉積(CVD)法制備碳納米管過程中,將含有碳源(如甲烷、乙炔)、催化劑(如鐵、鈷、鎳)和載氣(如氬氣、氫氣)的混合氣體通入高溫碳化爐內。爐溫控制在 700 - 1000℃,催化劑顆粒在高溫下吸附碳源分子,分解后碳原子在催化劑表面沉積并生長成碳納米管。通過調節爐內溫度、氣體流量和反應時間,可控制碳納米管的直徑、長度和純度。新型高溫碳化爐配備的等離子體輔助系統,可提高氣體的活化程度,促進碳納米管的快速生長,使生產效率提高 30% - 50%,為碳納米管的大規模生產提供了技術支持。...