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由于點接觸型二極管金屬絲很細，形成的PN結(jié)面積很小，所以極間電容很小，同時，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻檢波和脈沖數(shù)字電路里的開關(guān)元件，也可用來作小電流整流。如2APl是點接觸型鍺二極管，較大整流電流為16mA，較高工作頻率為15...

光敏（光電）三極管，光敏三極管的基區(qū)面積比普通三極管大，而發(fā)射區(qū)面積較小。光敏三極管具有對光電信號的放大作用，當光電信號從基極（大多數(shù)光窗口即為基極）輸入時，激發(fā)了基區(qū)半導(dǎo)體，產(chǎn)生電子和空穴的運動，從而在發(fā)射區(qū)有空穴的積累，相等于在發(fā)射極施加了正向偏壓，使光敏...

如果我們事先在三極管的基極上加上一個合適的電流(叫做偏置電流，圖2中那個電阻Rb就是用來提供這個電流的，所以它被叫做基極偏置電阻)，那么當一個小信號跟這個偏置電流疊加在一起時，小信號就會導(dǎo)致基極電流的變化，而基極電流的變化，就會被放大并在集電極上輸出。另一個原...

江崎二極管，阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應(yīng)二極管、穿隧二極管、透納二極管，英文名稱為Tunnel Diode，它是一種可以高速切換的半導(dǎo)體二極管，其切換速度可到達微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應(yīng)。它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二...

普通二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，即將一個PN結(jié)加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽極，N型區(qū)的引出線稱為負極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向?qū)妷海≒N結(jié)電壓）差別較大，鍺管為0.2～0....

三極管的工作原理，這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設(shè)備將控制電流的流動。PNP晶體管由2個串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...

常見到的是發(fā)紅光、綠光或黃光的發(fā)光二極管，翠綠色是人眼感覺較舒服的顏色，所以發(fā)翠綠光的發(fā)光二極管使用的較多，同時價格也就較便宜，比如手機上的按鍵燈顏色大多是翠綠色的。每種顏色的發(fā)光二極管內(nèi)阻是不同的，這就造成了同樣電壓和電流情況下，發(fā)出的光線強度不同，比如電路...

對于PNP型三極管，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發(fā)射極上面那個箭頭方向也反了過來。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個PN結(jié)...

下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)...

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場...

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進行電壓的選擇，當V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟，...

三極管的應(yīng)用領(lǐng)域，三極管作為一種重要的電子器件，普遍應(yīng)用于電子工業(yè)、電力系統(tǒng)、通訊系統(tǒng)、計算機系統(tǒng)等領(lǐng)域。它可以被用作信號放大器、開關(guān)、振蕩器、調(diào)制器等電路中。在電子工程師的日常工作中，三極管也是非常重要的組成部分。本文介紹了三極管的定義、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。...

場效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個導(dǎo)...

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且...

三極管的 3 種工作狀態(tài)，分別是截止狀態(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。接下給大家講一下這三種狀態(tài)情況：1、截止狀態(tài)，三極管的截止狀態(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時，三極管就會進入截止狀態(tài)。這就相當于一個關(guān)緊了的水龍頭，水龍頭里的水是流不出來...

快恢復(fù)二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes，簡稱FRD，是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)...

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結(jié)，P區(qū)空穴、N區(qū)...

三極管放大作用，集電極電流受基極電流的控制(假設(shè)電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，并且基極電流很小的變化，會引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關(guān)系：集電極電流的變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大...

二極管特性及參數(shù)：1、二極管伏安特性，導(dǎo)通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導(dǎo)通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導(dǎo)通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導(dǎo)通（0.5 V 以上時...

VMOS場效應(yīng)管，VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不只繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐...

PIN二極管（P-intrinsic-N Diode），PN之間一層高電阻的半導(dǎo)體層，使少數(shù)載流子的積蓄效果增加，逆回復(fù)時間也較長。利用正向偏置時高頻率信號較容易通過的性質(zhì)，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關(guān)。耿效應(yīng)二極管，應(yīng)用于低功率微波振蕩器。二極真空管，氣...

交流參數(shù)：a.交流電流放大系數(shù)β（或hFE）交流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法時，集電極輸出電流的變化量ΔIC與基極輸入電流的變化量ΔIB之比。b.截止頻率fβ、fα晶體管的頻率參數(shù)描述晶體管的電流放大系數(shù)對高頻信號的適應(yīng)能力。根據(jù)fβ的定義，所謂共射截止頻...

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體...

二極管特性及參數(shù)：1、二極管伏安特性，導(dǎo)通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導(dǎo)通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導(dǎo)通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導(dǎo)通（0.5 V 以上時...

C-MOS場效應(yīng)管（增強型MOS場效應(yīng)管），電路將一個增強型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個增強型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護器等領(lǐng)域。總之，二極管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原...

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進行電壓的選擇，當V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟，...

二極管是否損壞如何判斷：單負導(dǎo)電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...