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霍爾集成電路是由霍爾元件、差分放大器等電子元器件集成到同一塊半導體芯片上組成，是一種磁敏傳感器。可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。霍爾集成電路是以霍爾效應原理為基礎工作的。霍爾集成電路具有許多***，它們的結構牢固。若外加磁場的B值降低到BRP時，輸出管截止，輸出高電平。我們稱BOP為工作點，BRP為釋放點。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。工作磁體和霍爾集成電路以適當的間隙相對固定，用一軟磁（例如軟鐵）翼片作為運動工作部件，當翼片進入間隙...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。它能更容易計數及時間控制。雖然VR傳感器是基于很成熟的技術，但它仍然有一些較大的缺點。是價格，線圈及磁鐵相對說是便宜的，可惜的是需要附加的信號處理電路，價格就高了。另外，取決于VR傳感器的信號的大小是正比于靶的速度，這使得設計電路適應很低速度的信號很困難。一個給定的VR傳感器有一個明確的限制，即靶的運動慢到什么程度仍可以產生一個有用的信號。在高溫應用領域中，VR傳感器優于霍爾效應傳感器，因為工作溫度受到器件中所用的材料的特性的...

霍爾集成電路與外電路的接口霍爾開關集成電路的輸出級一般是一個集電極開路的NPN晶體管，其使用規則和一般的NPN開關管相同。輸出管截止時，輸漏電流很小，一般只有幾nA，可以忽略。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳。主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。輸出電壓和其電源電壓相近，但電源電壓高不得超過輸出管的擊穿電壓（即規范表中規定的極限電壓）。輸出管導通時，它的輸出端和線路的公共地導通。因此，必須外接一個電阻器。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售...

PLC）上，其精度可達，還可用于高速沖床、復雜紋進模具的送切料、行程控制等方面。四．霍爾傳感器電路圖大全（霍爾傳感器放大電路圖解）五．霍爾傳感器電路圖大全。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。霍爾電流電壓傳感器原理圖）磁平衡式霍爾電電壓傳感器工作原理原邊電壓Vp通過原邊電阻R1轉換為原邊電流Ip，Ip產生的磁通量與霍爾電壓經放大產生的副邊電流Is通過副邊線圈所產生的磁通量相平衡。副邊電流Is精確地反映原邊電壓。磁平衡式霍爾電流傳感器工作原理：原邊電流Ip產生的磁...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流I流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢EH，這種現象稱為霍爾效應，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用于薄片，這時電子e的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產生電場E。電子積累得越多，FE也越大，在...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。在磁性傳感器中，利用霍爾效應的傳感器稱為霍爾傳感器。霍爾傳感器包括幾個部分。首先，它包含一個霍爾元件，該霍爾元件輸出通過霍爾效應產生的霍爾電壓（HV）。其次，它包含一個霍爾IC，該霍爾IC使霍爾輸出通過IC工藝變為高/低數字輸出。第三，它包含一個線性霍爾IC，可放大并線性化霍爾輸出。霍爾元件特點霍爾元件是一個簡單的傳感器，其端子連接在半導體上，因此根據后續階段的電路設計，它可以用于數字和模擬目的。輸出電壓可達幾十到幾百毫伏。輸...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。其產品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發射管、發光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關、光電編碼器、紙張感應器和光電耦合器等。經過十余年的發展，世華高半導體已成為一家先進的半導體器件制造商。公司在全球范圍內設有多個銷售機構，分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區。傳感器輸出一個開或關的信號。在多數汽車電路中，霍爾傳感器是電流吸收器或者使信號電路接地。要完成這項工作，需要一個NPN晶體管與施密特觸發器的...

測量區段6的層厚是。圖1示出傳感元件1的設計方案。在此。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。傳感體3構造成盤狀的并且具有軸向凸緣8。支承體2構造成管狀的并且傳感體3的軸向凸緣8在外周側貼靠在管狀的支承體2上。支承體2與傳感體3由此相互形狀鎖合地連接。傳感體3的軸向凸緣8在內周側具有至少部分環繞的形狀鎖合元件9。這個形狀鎖合元件在當前設計方案中在橫截面中觀察構造為半圓形的并且環繞軸向凸緣8的內周。支承體2在外周側具有凹深部10，該凹深部構造為與傳感體3的形狀鎖合元...

為此導致：在測量低壓差時需要兩個可導電地裝備的表面的小間距，以便獲得有效力的測量信號。這樣的傳感體與此相應地具有形式為薄膜片的特別薄的層并且由此難以裝配。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。技術實現要素：任務本發明的目的是：提供一種傳感元件，該傳感元件能夠實現對低壓差的測量并且同時能夠低成本且簡單地裝配。解決方案所述目的利用權利要求1的特征得以實現。從屬權利要求涉及有益的設計方案。根據本發明的傳感元件包括支承體和傳感體，所述傳感體構造成面狀的并且由彈性材料構成。...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。本實用新型涉及電子器件制造領域，特別涉及一種傳感器引腳剪切及檢測裝置。背景技術：隨著科技的發展，電子設備的大量應用，導致電器元件的需求量急劇增加。傳感器在進行套管后，需要將引腳進行剪切及電檢測的工序。目前生產企業中，剪切及電檢測的工序需分別進行，這樣不導致制造工序繁瑣，而且增加工作人員的工作量，降低產品的生產效率。技術實現要素：有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種傳感器引腳剪切及檢測裝置，以解決現有技術中剪切及電檢測的工序需...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。本發明涉及一種傳感元件，其包括支承體和傳感體，其中，所述傳感體構造為面狀的，所述傳感體由彈性材料構成，并且所述傳感體的表面和第二表面被可導電地涂層。背景技術：由ep2113760a1已知：膜片狀的傳感元件構造成壓力傳感器。傳感元件在此包括傳感體，該傳感體局部構造成面狀的。所述傳感體容納在管狀殼體中，其中，空間的壓力作用在所述傳感體的表面上，并且第二空間的壓力作用到傳感體的第二表面上。傳感體在此檢測兩個空間之間的壓差。這通過以下...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流I流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢EH，這種現象稱為霍爾效應，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用于薄片，這時電子e的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產生電場E。電子積累得越多，FE也越大，在...

圖1為本實用新型實施例提供的一種傳感器引腳剪切及檢測裝置的結構圖；圖2為圖1的主視圖；圖3為圖1的側視圖。其中，1-基體，2-凹槽，3-指示燈，4-顯示屏，5-電源開關，6-傳感器，7-剪切機構。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提...

圖1為本實用新型實施例提供的一種傳感器引腳剪切及檢測裝置的結構圖；圖2為圖1的主視圖；圖3為圖1的側視圖。其中，1-基體，2-凹槽，3-指示燈，4-顯示屏，5-電源開關，6-傳感器，7-剪切機構。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提...

霍爾集成電路與外電路的接口霍爾開關集成電路的輸出級一般是一個集電極開路的NPN晶體管，其使用規則和一般的NPN開關管相同。輸出管截止時，輸漏電流很小，一般只有幾nA，可以忽略。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳。主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。輸出電壓和其電源電壓相近，但電源電壓高不得超過輸出管的擊穿電壓（即規范表中規定的極限電壓）。輸出管導通時，它的輸出端和線路的公共地導通。因此，必須外接一個電阻器。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。于是就剩下00515故障碼問題，經過反復試車，發現有這樣的故障特征；在點火開關打開狀態（發動機并不運轉），將故障碼，但只要一起動發動機，就會立即重現。這表明該故障碼是真實碼。但他的靜態值應是正常的，動態值（脈沖信號輸出）則出了問題。為此測量霍爾傳感器3個針腳之間阻值，沒有相互短路的跡象；在打開點火開關狀態下測量各針腳電壓。分別為5V、12V、0V，這又進一步驗證了霍爾傳感器信號線無“對地短路”問題，也許也許傳感器本身已損壞，拆...

這就隨之帶來一個問題，如果我們以凸輪軸對準瓦蓋上的記號的常規方法進行裝配，就會存在這個正常的自由行程。進氣凸輪軸在3個輪齒角內部可對正瓦蓋上的標記，因此這種對正時的方法是錯誤的，不能作為ANQ發動機的兩個凸輪軸間驗證正時的標準。維修手冊中詳細的說明了凸輪軸與鏈條的裝配方法：“鏈條不能用沖小點，刻槽或其他類試的方法作為標記，兩個箭頭以及顏色標記之間的距離為16個鏈節箭頭是指兩根凸輪軸鏈條輪頸部的凹槽徑向嚙合的鏈齒為起點（包括這兩個嚙合的鏈節）之間共為16個鏈節。，既為正確的裝配角度，本例裝成了15節，結果導致進氣門開啟時間滯后，發動機進氣不充分而功率不足，呈現出怠速轉速明顯偏低卻轉速相對...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。這類元件可以分為兩大類，一類是線性元件，另一類是開關類元件。線性霍爾元件的原理及應用UGN350lT是一種目前較常用的三端型線性霍爾元件。它由穩壓器、霍爾發生器和放大器組成。用UGN350lT可以十分方便地組成一臺高斯計。其使用十分簡單，先使B=0，記下表的示值VOH，再將探頭端面貼在被測對象上，記下新的示值VOH1。ΔVOH=VOH1-VOH如果ΔVOH＞0，說明探頭端面測得的是N極；反之為S極。UGN3501T的靈敏度為7...

霍爾傳感器簡介與分類霍爾傳感器，英文名稱為Hallsensor，是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器，主要用于力測量，具有精度高、線性度好等多種特點，現已在工業自動化技術、檢測技術、信息處理等方面有著極的應用。霍爾傳感器可分為線型和開關型兩種。線型霍爾傳感器又可分為開環式線性霍爾傳感器和閉環式線性霍爾傳感器（又稱為零磁通霍爾傳感器），主要包括霍爾元件、線性放大器和設計跟隨器三大部分，用于測量交流電流、直流電流、電壓。開關型霍爾傳感器主要包括霍爾元件、差分放大器、穩壓器、斯密特觸發器、輸出級組成，用于數字量的輸出。一．霍爾傳感器電路圖大全（霍爾傳感器信號放大電路）二．霍爾傳感器電路圖大全（...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。如果電流在預設的范圍內，則判定傳感器6合格，如果電流沒有在預設的范圍內，則判定傳感器6不合格。指示燈3可通過不同的顏色來提示檢測結果，例如發綠光則表示傳感器6和，發紅光則表示傳感器6不合格；或者由多個指示燈3的顯示的不同顏色來提示檢測結果，例如，發白光的指示燈3亮起，則表示傳感器6合格，發紅光的指示燈3亮起，則表示傳感器6不合格，同時可利用顯示屏4顯示具體的電流數值。本領域技術人員在考慮說明書及實踐這里公開的實用新型后，將容易...

半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流I流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢EH，這種現象稱為霍爾效應，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用于薄片，這時電子e的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產生電場E。電子積累得越多，FE也越大，在半導體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。由實驗可知，流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強度B越強，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，...

一個凹槽2內可放置多個傳感器6的每個引腳組中的一個引腳，以通過剪切機構7的一次剪切運動，實現對多個傳感器6的引腳的剪切，提高剪切效率。并且利用凹槽2容置引腳，可防止剪切過程中傳感器6發生晃動，提高剪切的穩定性和可靠性。具體地，如圖2所示，每個剪切機構7包括剪切刀以及與剪切刀相連接的驅動組件。其中，驅動組件包括電機和傳動部件，電機通過傳動部件與剪切刀相連接，利用電機通過傳動部件帶動電機移動，以實現對引腳的剪切，并且剪切刀為金屬材質制成，檢測機構的連接線與剪切刀連接，驅動組件與剪切刀之間做絕緣處理，利用剪切刀與引腳的接觸，實現檢測機構對傳感器6進行檢測。傳動部件可采用現有技術的常用技術，例...

霍爾傳感器簡介與分類霍爾傳感器，英文名稱為Hallsensor，是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器，主要用于力測量，具有精度高、線性度好等多種特點，現已在工業自動化技術、檢測技術、信息處理等方面有著極的應用。霍爾傳感器可分為線型和開關型兩種。線型霍爾傳感器又可分為開環式線性霍爾傳感器和閉環式線性霍爾傳感器（又稱為零磁通霍爾傳感器），主要包括霍爾元件、線性放大器和設計跟隨器三大部分，用于測量交流電流、直流電流、電壓。開關型霍爾傳感器主要包括霍爾元件、差分放大器、穩壓器、斯密特觸發器、輸出級組成，用于數字量的輸出。一．霍爾傳感器電路圖大全（霍爾傳感器信號放大電路）二．霍爾傳感器電路圖大全（...

緊固區段和測量區段的材料在此是相同的并且一體地由彈性體材料構成。環狀的緊固區段的層厚在此比盤狀的測量區段的層厚大。層厚在此表示在表面與第二表面之間的間距。在測量區段與緊固區段之間的過渡在此可以是階梯狀的，其中，所述層厚突變式地升高。地，所述層厚從測量區段出發直到緊固區段的層厚為止線性增大。由此獲得傾斜的過渡區域。該過渡區域構成測量區段與緊固區段之間的過渡。測量區段和過渡區段可以相對彼此設置成，層厚在兩側并且從測量區段的表面和第二表面出發增大，使得測量區段居中地設置在緊固區段中。有益地，測量區段和緊固區段沿著一個表面設置在一個徑向平面中。在這種設計方案中，緊固區段的層厚沿著一個表面增大。...

稱作霍爾電場。霍爾電場產生的電場力和洛侖茲力相反，它阻礙載流子繼續堆積，直到霍爾電場力和洛侖茲力相等。這時，片子兩側建立起一個穩定的電壓VH，這就是霍爾電壓。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將...

霍爾效應磁敏傳感器就是建立在霍爾效應基礎上的磁電轉換的傳感器，由霍爾元件(利用霍爾效應制成的元件)和轉換電路組成。霍爾元件的選擇我們知道．霍爾效應磁敏傳感器的選擇重要的就是霍爾元件的選擇。首先根據被測信號的形式是線性、脈沖、高變、位移和函數等，選擇性能與之相類似的霍爾元件，其次對應用環境和技術性能進行分析，在選擇的幾種霍爾元件中，進行第二次挑選，從技術條件和性能方面分析，哪一種更適合應用場合，后分析一下選擇霍爾元件的價格和市場供應等情況，選擇成本低、市場供應量大的更合適。所有的霍爾集成片都具有基本相同的線路．在集成片的基底上除了霍爾元件外，還有信號整定線路。霍爾元件的輸出電平很小，是微...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。在磁性傳感器中，利用霍爾效應的傳感器稱為霍爾傳感器。霍爾傳感器包括幾個部分。首先，它包含一個霍爾元件，該霍爾元件輸出通過霍爾效應產生的霍爾電壓（HV）。其次，它包含一個霍爾IC，該霍爾IC使霍爾輸出通過IC工藝變為高/低數字輸出。第三，它包含一個線性霍爾IC，可放大并線性化霍爾輸出。霍爾元件特點霍爾元件是一個簡單的傳感器，其端子連接在半導體上，因此根據后續階段的電路設計，它可以用于數字和模擬目的。輸出電壓可達幾十到幾百毫伏。輸...

深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地，負責光電器件的制造。其靈敏度高，約為5—10mv/100mt.溫度誤差可忽略不計，且材料性能好，可以做的體積較小。在被測磁場精度較低．體積要求不高．如精度低于±0．5％時，好選用硅和鍺雹爾元件。2、電流測量。大部分霍爾元件可以用于電流測量，要求精度較高時．選用砷化鎵霍爾元件，精度不高時，可選用砷化鎵、硅、鍺等霍爾元件。3、轉速和脈沖測量。測量轉速和脈沖時，通常是選用集成霍爾開關和銻化銦霍爾元件。如在錄像機和攝像機中采用了銻銦霍爾元件替代電機的電刷...

這就隨之帶來一個問題，如果我們以凸輪軸對準瓦蓋上的記號的常規方法進行裝配，就會存在這個正常的自由行程。進氣凸輪軸在3個輪齒角內部可對正瓦蓋上的標記，因此這種對正時的方法是錯誤的，不能作為ANQ發動機的兩個凸輪軸間驗證正時的標準。維修手冊中詳細的說明了凸輪軸與鏈條的裝配方法：“鏈條不能用沖小點，刻槽或其他類試的方法作為標記，兩個箭頭以及顏色標記之間的距離為16個鏈節箭頭是指兩根凸輪軸鏈條輪頸部的凹槽徑向嚙合的鏈齒為起點（包括這兩個嚙合的鏈節）之間共為16個鏈節。，既為正確的裝配角度，本例裝成了15節，結果導致進氣門開啟時間滯后，發動機進氣不充分而功率不足，呈現出怠速轉速明顯偏低卻轉速相對...

半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流I流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢EH，這種現象稱為霍爾效應，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用于薄片，這時電子e的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產生電場E。電子積累得越多，FE也越大，在半導體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。由實驗可知，流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強度B越強，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，...