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  • MCP130-300DI/TO
    MCP130-300DI/TO

    與集成電路熱耦聯的第二熱接口材料層;以及與第二熱接口材料層熱耦聯的能夠移除的散熱器,所述散熱器具有越過印刷電路板的與連接側相對的側延伸的頂表面。在處,將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起,使得所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸,并且與該熱接口材料層熱耦聯。在處,流程包括將每個冷卻管的端部耦聯至分流管a,以及將每個冷卻管的第二端部耦聯至第二分流管b。在處,流程包括將泵、熱交換器和儲液器與分流管a和第二分流管b流體流通地耦聯。流程包括操作泵以將液體傳送通過各冷卻管。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECT...

    2024-07-16
  • CKRF2179MM26-C4
    CKRF2179MM26-C4

    [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節,其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該...

    2024-07-16
  • AP602-F
    AP602-F

    生產的成本越低,但對工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實現曝光,激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤,即所謂的曝光后烘烤,后烘烤使得光化學反應更充分。后,把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,對曝光圖形顯影。顯影后,掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的,曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯機作業的,...

    2024-07-16
  • LM3671TLX-ADJ/NOPB
    LM3671TLX-ADJ/NOPB

    所述冷卻管中的每個冷卻管具有在冷卻管與系統板相對的一側上粘附至冷卻管的熱接口材料層。在處,流程包括提供多個集成電路模塊。例如,集成電路模塊可以包括一個或多個雙列直插式存儲模塊組件。每個集成電路模塊包括:印刷電路板,所述印刷電路板具有布置在印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側;安裝在印刷電路板上的一個或多個集成電路。與集成電路熱耦聯的第二熱接口材料層;以及與第二熱接口材料層熱耦聯的能夠移除的散熱器,所述散熱器具有越過印刷電路板的與連接側相對的側延伸的頂表面。在處,將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起,使得所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路...

    2024-07-16
  • 505151-1500
    505151-1500

    公司工程技術力量強大,可為客戶設計指導方案開發。這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了,而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。摻加雜質將晶圓中植入離子,生成相應的P、N類半導體。具體工藝是從硅片上暴露的區域開始,放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區的導電方式,使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。簡單的芯片可以只用一層,但復雜的芯片通常有很多層,這時候將該流程不斷的重復,不同層可通過開啟窗口聯接起來。這一點類似多層PCB板的制作原理。更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層,這時候通過重復光刻以及上面流程來實現,形成一個立體的結構。晶圓...

    2024-07-15
  • SN74LS260DR2
    SN74LS260DR2

    由北京有色金屬研究總院半導體材料**工程研究中心承擔的我國條8英寸硅單晶拋光生產線建成投產。1999年,上海華虹NEC的條8英寸生產線正式建成投產。[5]2000-2011年發展加速期2000年,中芯**在上海成立,18號文件加大對集成電路的扶持力度。2002年,**款批量投產的通用CPU芯片“龍芯一號”研制成功。2003年,臺積電(上海)有限公司落戶上海。2004年,**大陸條12英寸線在北京投入生產。2006年,設立“**重大科技專項”;無錫海力士意法半導體正式投產。2008年,中星微電子手機多媒體芯片全球銷量突破1億枚。2009年,**“核高基”重大專項進入申報與實施階段。201...

    2024-07-15
  • LS052A-AX
    LS052A-AX

    FCBGA封裝使得輸入輸出信號陣列(稱為I/O區域)分布在整個芯片的表面,而不是限制于芯片的。如今的市場,封裝也已經是出來的一環,封裝的技術也會影響到產品的質量及良率。[1]集成電路芯片封裝概述播報編輯封裝概念狹義:利用膜技術及微細加工技術,將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過可塑性絕緣介質灌封固定,構成整體立體結構的工藝。廣義:將封裝體與基板連接固定,裝配成完整的系統或電子設備,并確保整個系統綜合性能的工程。芯片封裝實現的功能1、傳遞功能;2、傳遞電路信號;3、提供散熱途徑;4、結構保護與支持。封裝工程的技術層次封裝工程始于集成電路芯片制成之后,包括...

    2024-07-15
  • MC75174BDWR
    MC75174BDWR

    第三層次:將數個第二層次完成的封裝組裝的電路卡組合成在一個主電路板上使之成為一個部件或子系統的工藝。第四層次:將數個子系統組裝成為一個完整電子產品的工藝過程。在芯片.上的集成電路元器件間的連線工藝也稱為零級層次的封裝,因此封裝工程也可以用五個層次區分。封裝的分類1、按封裝集成電路芯片的數目:單芯片封裝(scP)和多芯片封裝(MCP);2、按密封材料區分:高分子材料(塑料)和陶瓷;3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態:單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳;SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP:單列式封裝SQP:小型化封裝MC...

    2024-07-15
  • CX95516-00Z
    CX95516-00Z

    是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該領域已經營多年,資源豐富,目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同,公司工程技術力量強大,可為客戶設計指導方案開發。這是**次從國外引進集成電路技術;成立電子計算機和大規模集成電路領導小組,制定了**IC發展規劃,提出“六五”期間要對半導體工業進行技術改造。1985年,塊64KDRAM在無錫國營724廠試制成功。1988年,上無十四廠建成了我國條4英寸線。1989年,機電部在無錫召開“八五”集成電路發展戰略研討會,提出振興集成電路的發展戰略;724廠和永川半導體研究所無錫...

    2024-07-15
  • 71AM仿真上板
    71AM仿真上板

    力爭在高科技領域不受制于人。[8]4、美國消費者新聞與商業頻道網站8月10日報道指出,**計劃到2020年將半導體自給率提高到40%,到2025年提高到70%。[4]瑞士米拉博證券公司技術、媒體和電信研究主管尼爾·坎普林在電子郵件中告訴消費者新聞與商業頻道記者:“我認為,這場新的技術冷戰正是**攀爬技術曲線、積極開發本土技術的原因。”[4]歐亞集團地緣-技術業務負責人保羅·特廖洛說:“新政策中列出的優惠待遇將在某些領域起到幫助作用,但從短期看,對**半導體企業向價值鏈上游攀升和提高全球競爭力幫助有限。”[4]相關新聞播報編輯2020年8月13日消息,近日印發《新時期促進集成電路產業和軟...

    2024-07-15
  • DS90C031TM
    DS90C031TM

    這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了,而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。摻加雜質將晶圓中植入離子,生成相應的P、N類半導體。具體工藝是從硅片上暴露的區域開始,放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區的導電方式,使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。簡單的芯片可以只用一層,但復雜的芯片通常有很多層,這時候將該流程不斷的重復,不同層可通過開啟窗口聯接起來。這一點類似多層PCB板的制作原理。更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層,這時候通過重復光刻以及上面流程來實現,形成一個立體的結構。晶圓測試經過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一個個...

    2024-07-14
  • PQ1CY1032ZPH
    PQ1CY1032ZPH

    力爭在高科技領域不受制于人。[8]4、美國消費者新聞與商業頻道網站8月10日報道指出,**計劃到2020年將半導體自給率提高到40%,到2025年提高到70%。[4]瑞士米拉博證券公司技術、媒體和電信研究主管尼爾·坎普林在電子郵件中告訴消費者新聞與商業頻道記者:“我認為,這場新的技術冷戰正是**攀爬技術曲線、積極開發本土技術的原因。”[4]歐亞集團地緣-技術業務負責人保羅·特廖洛說:“新政策中列出的優惠待遇將在某些領域起到幫助作用,但從短期看,對**半導體企業向價值鏈上游攀升和提高全球競爭力幫助有限。”[4]相關新聞播報編輯2020年8月13日消息,近日印發《新時期促進集成電路產業和軟...

    2024-07-14
  • 0910CF15B0100E
    0910CF15B0100E

    [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節,其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該...

    2024-07-14
  • AK6512CM-E2
    AK6512CM-E2

    第二層次:將數個第-層次完成的封裝與其他電子元器件組成--個電路卡的工藝。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該領域已經營多年,資源豐富,目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同,公司工程技術力量強大,可為客戶設計指導方案開發。第三層次:將數個第二層次完成的封裝組裝的電路卡組合成在一個主電路板上使之成為一個部件或子系統的工藝。第四層次:將...

    2024-07-14
  • INA229AIDGSR
    INA229AIDGSR

    盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如:發光二極管、激光、太陽能電池和高速集成電路,單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。半導體集成電路工藝,包括以下步驟,并重復使用:光刻刻蝕薄膜(化學氣相沉積或物相沉積)摻雜(熱擴散或離子注入)化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層,然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件,再利用薄膜和CMP技術制成導線,如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量,導線可分為鋁工藝(以濺鍍為主)和銅工藝(以電鍍為主參見Damascene)。深圳市硅宇電子有...

    2024-07-14
  • GY8PE531MAPA
    GY8PE531MAPA

    深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該領域已經營多年,資源豐富,目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同,公司工程技術力量強大,可為客戶設計指導方案開發。本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術:現代計算機系統產生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產生,所述熱量...

    2024-07-14
  • L71121C-3.3
    L71121C-3.3

    包裝-----顯示該物料是以何種包裝運輸的,如tube,T/R,r**l,tray等。版本號----顯示該產品修改的次數,一般以M為版本。IC命名、封裝常識與命名規則溫度范圍:C=0℃至60℃(商業級);I=-20℃至85℃(工業級);E=-40℃至85℃(擴展工業級);A=-40℃至82℃(航空級);M=-55℃至125℃(級)封裝類型:A—SSOP;BCERQUAD;C-TO-200,TQFP﹔D—陶瓷銅頂;E—QSOP;F—陶瓷SOP;H—SBGAJ-陶深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹...

    2024-07-14
  • SC33771CTA1MAE
    SC33771CTA1MAE

    [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節,其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該...

    2024-07-13
  • STPS340S
    STPS340S

    [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節,其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該...

    2024-07-13
  • PT4205E89E-AZ
    PT4205E89E-AZ

    存儲器產線建設開啟;全球AI芯片獨角獸初創公司成立;華為發布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年,紫光量產32層3DNAND(零突破)。2019年,華為旗下海思發布全球5GSoC芯片海思麒麟990,采用了全球**的7納米工藝;64層3DNAND閃存芯片實現量產;中芯**14納米工藝量產。[5]2021年7月,采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片,龍芯3A5000正式發布[12]挑戰2020年8月7日,華為常務董事、華為消費者業務CEO余承東在**信息化百人會2020年峰會上的演講中說,受管制影響,下半年發售的Mate40所搭載的麒麟9000芯片,或將是華為自研的麒麟芯...

    2024-07-13
  • MAX4053ACSE
    MAX4053ACSE

    所述雙列直插式存儲模塊組件中的一個雙列直插式存儲模塊組件標記為。特別地,每個雙列直插式存儲模塊組件的連接側布置在印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中。當所述兩個印刷電路裝配件a和b相對地放置在一起,如圖b中所示出的那樣。所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器a、b的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸,并且與該熱接口材料層熱耦聯,如在a和b處所指示的那樣。在這種配置中,每個印刷電路裝配件上的雙列直插式存儲模塊組件由另一個印刷電路裝配件的冷卻管冷卻。圖是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。參考圖。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUE...

    2024-07-13
  • MIC47050YML-TR
    MIC47050YML-TR

    存儲器產線建設開啟;全球AI芯片獨角獸初創公司成立;華為發布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年,紫光量產32層3DNAND(零突破)。2019年,華為旗下海思發布全球5GSoC芯片海思麒麟990,采用了全球**的7納米工藝;64層3DNAND閃存芯片實現量產;中芯**14納米工藝量產。[5]2021年7月,采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片,龍芯3A5000正式發布[12]挑戰2020年8月7日,華為常務董事、華為消費者業務CEO余承東在**信息化百人會2020年峰會上的演講中說,受管制影響,下半年發售的Mate40所搭載的麒麟9000芯片,或將是華為自研的麒麟芯...

    2024-07-13
  • S9KEAZN8AMTGR
    S9KEAZN8AMTGR

    如-5,-6之類數字表示。工藝結構----如通用數字IC有COMS和TL兩種,常用字母C,T來表示。是否**-----一般在型號的末尾會有一個字母來表示是否**,如z,R,+等。包裝-----顯示該物料是以何種包裝運輸的,如tube,T/R,r**l,tray等。版本號----顯示該產品修改的次數,一般以M為版本。IC命名、封裝常識與命名規則溫度范圍:C=0℃至60℃(商業級);I=-20℃至85℃(工業級);E=-40℃至85℃(擴展工業級);A=-40℃至82℃(航空級);M=-55℃至125℃(級)封裝類型:A—SSOP;BCERQUAD;C-TO-200,TQFP﹔D—陶瓷銅頂...

    2024-07-13
  • BK4532-231-LF
    BK4532-231-LF

    目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同,公司工程技術力量強大,可為客戶設計指導方案開發。制造商面臨使用更好幾何學的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步,在半導體**技術路線圖中有很好的描述。在其開發后半個世紀,集成電路變得無處不在,計算機、手機和其他數字電器成為社會結構不可缺少的一部分。這是因為,現代計算、交流、制造和交通系統,包括互聯網,全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學者認為有集成電路帶來的數字是人類歷史中重要的事件。IC的成熟將會帶來科技的,不論是在設計的技術上,或是半導體的工藝突破,兩者都是息息相關。[1]分類播報編輯集...

    2024-07-12
  • DS14C238WMX
    DS14C238WMX

    由上海華虹集團與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司,主要承擔“909”主體工程超大規模集成電路芯片生產線項目建設。1998年,華晶與上華合作生產MOS圓片合約簽定,開始了**大陸的Foundry時代。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該領域已經營多年,資源豐富,目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同,公司工程技術力量強大...

    2024-07-12
  • WFB8003-2G
    WFB8003-2G

    靜態電流診斷技術的是將待測電路處于穩定運行狀態下的電源電流與預先設定的閾值進行比較,來判定待測電路是否存在故障。可見,閾值的選取便是決定此方法檢測率高低的關鍵。早期的靜態電流診斷技術采用的固定閾值,然而固定的閾值并不能適應集成電路芯片向深亞微米的發展。于是,后人在靜態電流檢測方法上進行了不斷的改進,相繼提出了差分靜態電流檢測技術,電流比率診斷方法,基于聚類技術的靜態電流檢測技術等。動態電流診斷技術于90年代問世。動態電流能夠直接反應電路在進行狀態轉換時,其內部電壓的切換頻繁程度。基于動態電流的檢測技術可以檢測出之前兩類方法所不能檢測出的故障,進一步擴大故障覆蓋范圍。隨著智能化技術的發展...

    2024-07-12
  • FQD19N10LTM
    FQD19N10LTM

    生產的成本越低,但對工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實現曝光,激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤,即所謂的曝光后烘烤,后烘烤使得光化學反應更充分。后,把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,對曝光圖形顯影。顯影后,掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的,曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯機作業的,...

    2024-07-12
  • 74LVC14A
    74LVC14A

    總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機、32位單片機;在該領域已經營多年,資源豐富,目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同,公司工程技術力量強大,可為客戶設計指導方案開發。因為他們太大了。高頻光子(通常是紫外線)被用來創造每層的圖案。因為每個特征都非常小,對于一個正在調試制造過程的過程工程師來說,電子顯微鏡是必要工具。在使用自動測試設備(ATE)包裝前,每個設備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊,每個被稱為晶片(“die”)。每個...

    2024-07-12
  • IRFU9024
    IRFU9024

    目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同,公司工程技術力量強大,可為客戶設計指導方案開發。制造商面臨使用更好幾何學的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步,在半導體**技術路線圖中有很好的描述。在其開發后半個世紀,集成電路變得無處不在,計算機、手機和其他數字電器成為社會結構不可缺少的一部分。這是因為,現代計算、交流、制造和交通系統,包括互聯網,全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學者認為有集成電路帶來的數字是人類歷史中重要的事件。IC的成熟將會帶來科技的,不論是在設計的技術上,或是半導體的工藝突破,兩者都是息息相關。[1]分類播報編輯集...

    2024-07-12
  • MSP430F4371IPZR
    MSP430F4371IPZR

    電壓診斷出現較早且運用較廣。電壓測試的觀測信息是被測電路的邏輯輸出值。此方法通過對電路輸入不同的測試向量得到對應電路的邏輯輸出值,然后將采集的電路邏輯輸出值與該輸入向量對應的電路預期邏輯輸出值進行對比,來達到檢測電路在實際運行環境中能否實現預期邏輯功能的目的。此方法簡單卻并不適用于冗余較多的大規模的集成電路。若缺陷出現在冗余部分就無法被檢測出來。而且當電路規模較大時,測試向量集也會成倍增長,這會直接導致測試向量的生成難且診斷效率低下等問題。此外,如果故障只影響電路性能而非電路邏輯功能時,電壓診斷也無法檢測出來。由于集成電路輸出的電壓邏輯值并不一定與電路中的所有節點相關,電壓測試并不能檢...

    2024-07-12
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