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一、高壓熔斷器的種類和技術(shù)特性高壓熔斷器型號(hào)含義如下圖：二、RN1和RN2戶內(nèi)式高壓熔斷器RN系列高壓熔斷器用于高壓配電線路、小容量變壓器、電力電容器和電壓互感器等電氣設(shè)備的過(guò)載和短路保護(hù)。它由熔體管、接觸導(dǎo)電部分、支持絕緣子和底座等組成，如圖。熔體管...

(1)一般條件Ie≥Ije≥Ig·zd式中:Ie--熔斷器熔管的額定電流，AIje--熔斷器熔體的額定電流，AIg·zd--回路**大持續(xù)工作電流，A此條件為選擇熔斷器額定電流的總體要求，其中熔體額定電流的選擇**為重要，它的選擇與其熔斷特性有關(guān)，應(yīng)能...

注意事項(xiàng)鑒于熔斷器***的短路保護(hù)性能，它廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中，作為短路和過(guò)電流的保護(hù)器，是應(yīng)用**普遍也**重要的保護(hù)器件之一。在應(yīng)用中要重視熔斷器的使用注意事項(xiàng)、日常巡視檢查及維修保養(yǎng)。熔斷器使用注意事項(xiàng)：1、熔斷器的保...

本發(fā)明涉及一種熔斷器，具體涉及一種快速熔斷器。背景技術(shù)：熔斷器也被稱為保險(xiǎn)絲，它是一種安裝在電路中，保證電路安全運(yùn)行的電器元件。熔斷器其實(shí)就是一種短路保護(hù)器，***用于配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，主要進(jìn)行短路保護(hù)或嚴(yán)重過(guò)載保護(hù)。隨著技術(shù)先進(jìn)的發(fā)展，對(duì)***熔斷...

一般而言，EV/HEV通過(guò)過(guò)載電流檢測(cè)會(huì)切斷接觸器，而熔斷器則應(yīng)用于短路大電流保護(hù)。理想的保護(hù)是熔斷器作為***個(gè)被觸發(fā)（熔斷器具備任何保護(hù)系統(tǒng)的**低初始成本）并且能夠在任何其他保護(hù)元件開(kāi)始動(dòng)作之前正確地***故障。挑戰(zhàn)在于熔斷器需要在接觸器過(guò)熱或超...

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描...

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開(kāi)關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來(lái)emc電磁干擾問(wèn)題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚...

該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對(duì)器件的開(kāi)關(guān)特性需求，可以對(duì)第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第...

由于西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時(shí)，盡量不要用手...

四種IGBT模塊常規(guī)測(cè)量?jī)x器作者：微葉科技時(shí)間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測(cè)量方法，其中不乏極具精髓的，但不怎么的***。現(xiàn)在我總結(jié)介紹四招，有這四招，足以應(yīng)付日常工作中的要求了。但這是在簡(jiǎn)單工具的前提下，只能說(shuō)是常規(guī)測(cè)量吧。下面...

更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計(jì)也改善了電氣性能。事實(shí)上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過(guò)更多的電流。由于這些變化，在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過(guò)芯片的輸出電流大約多了10...

○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號(hào)進(jìn)行直流負(fù)載的恒電流和恒電壓控制。（請(qǐng)通過(guò)JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進(jìn)行直流閉環(huán)控制）?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場(chǎng)合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機(jī)及相應(yīng)檢測(cè)傳感器組成外閉環(huán)自動(dòng)控制系統(tǒng)。2．可選擇...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動(dòng)電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過(guò)IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓...

GSM系統(tǒng)規(guī)范對(duì)手機(jī)發(fā)射功率的精度、平坦度、發(fā)射頻譜純度以及帶外雜散信...發(fā)表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調(diào)制）縮寫(xiě)，是按一定規(guī)...

由于西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時(shí)，盡量不要用手...

***，市場(chǎng)發(fā)展的趨勢(shì)要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢(shì)是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力?，F(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工...

***，市場(chǎng)發(fā)展的趨勢(shì)要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢(shì)是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力?，F(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工...

特別是對(duì)于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火***，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點(diǎn)的限制，這些背面工藝必須在低溫下進(jìn)行(不超過(guò)450°C)，退火***這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那...

而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性...

此外，單個(gè)溝槽可以被提供有例如至少在一側(cè)上的晶體管。此外，在所描述的實(shí)施例中，晶體管的n和p傳導(dǎo)類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽(yáng)極可以同時(shí)反轉(zhuǎn)。上文已描述了具有各種變型的各種實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將這些各種實(shí)施例和變型的各種元件進(jìn)...

1)、整流橋殼體表面散熱熱阻a)整流橋正面殼體的散熱熱阻:同不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷一樣:b)整流橋背面殼體的散熱熱阻:假設(shè)忽約整流橋與殼體的接觸熱阻，則:;選擇散熱器與環(huán)境間熱阻的典型值為:于是:則整流橋通過(guò)殼體表面散熱的總熱阻為:2)、流橋通過(guò)引腳散熱...

冷卻體）的選定方法、實(shí)際安裝的注意事項(xiàng)7-7第8章并聯(lián)連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯(lián)連接方法8-3第9章評(píng)價(jià)、測(cè)定方法1.適用范圍9-12.評(píng)價(jià)、測(cè)定方法9-1Qualityisourmessage第1章構(gòu)造與特征目錄1.元件的構(gòu)造與特征1-...

因此在驅(qū)動(dòng)電路的輸出端給柵極加電壓保護(hù)，并聯(lián)電阻Rge以及反向串聯(lián)限幅穩(wěn)壓管，如圖4所示。圖4柵極保護(hù)電路柵極串聯(lián)電阻Rg對(duì)IGBT開(kāi)通過(guò)程影響較大。Rg小有利于加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，但過(guò)小會(huì)造成di/dt過(guò)大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。根據(jù)本設(shè)...

pwm_l信號(hào)為低電平時(shí)，c2通過(guò)r2充電，r2,c2構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。當(dāng)pwm_h信號(hào)為高電平時(shí)，c3通過(guò)d3快速放電，pwm_l信號(hào)為低電平時(shí)，c3通過(guò)r3充電，r3,c3構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門(mén)，可以提高輸入信號(hào)門(mén)檻...

好的磁通密度B在100...發(fā)表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動(dòng)勢(shì)和電壓的區(qū)別電動(dòng)勢(shì)是對(duì)電源而說(shuō)的，它就是電源將單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極時(shí)，非靜電力所做的功。電壓是對(duì)一...發(fā)表于2017-11-0615:54?342次閱...

交直流電壓還可以測(cè)量直流電壓。甚至有的萬(wàn)用表還可以測(cè)量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗(yàn)證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手，對(duì)單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對(duì)比分析，在設(shè)計(jì)方法上，對(duì)比...

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開(kāi)關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來(lái)emc電磁干擾問(wèn)題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚...

在...發(fā)表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標(biāo)準(zhǔn)值取值法則及電阻的技術(shù)范疇和常見(jiàn)特性如E6系列的公比為6√10≈，系列的***個(gè)量取，接下來(lái)的量為上臨的量乘以公比值6√10...發(fā)表于2017-06-0914:45?504次閱讀基...

專業(yè)進(jìn)行智能廚具產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和研究，并設(shè)立了以上海市區(qū)為中心的賽米控營(yíng)銷售后服務(wù)點(diǎn)。2009年3月，賽米控公司聯(lián)合石家莊啟宏?yáng)|立科技有限公司共同投資成立石家莊賽米控電子科技有限公司。石家莊賽米控公司主要負(fù)責(zé)北方商用電磁爐成品的組裝生產(chǎn)與銷售。2004年，...

大中小燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開(kāi)全文一、電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序電流保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。1．目視電流保險(xiǎn)絲...