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IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱(chēng)：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無(wú)損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱(chēng)CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤(rùn)濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請(qǐng)中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤(rùn)濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕...

從而可以在閥門(mén)開(kāi)關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過(guò)濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無(wú)法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液；與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20，各級(jí)腔室10分...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱(chēng)：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無(wú)損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱(chēng)CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-...

光刻膠殘留大，殘留分布不均勻，并且產(chǎn)生邊緣聚集殘留。為了能夠進(jìn)一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對(duì)比，圖2中將多張單張檢測(cè)圖進(jìn)行疊加，可以更加清楚地看出兩者之間的區(qū)別，能夠明顯地看出使用配方一的剝離液，高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多...

本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細(xì)布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問(wèn)題，而避免其使用...

能夠增強(qiáng)親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤(rùn)濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點(diǎn)，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時(shí)直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對(duì)于等離子體處理過(guò)的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹鳎话銥閱谓M份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類(lèi)、堿類(lèi)、有機(jī)溶劑類(lèi)和其他類(lèi)。酸類(lèi)包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點(diǎn)，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時(shí)直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對(duì)于等離子體處理過(guò)的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加...

本技術(shù)通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)...

所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線和沉淀劑輸入管線，所述二級(jí)過(guò)濾罐的底部設(shè)有廢液出口，所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置，所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐的結(jié)構(gòu)相同，均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過(guò)濾筒、扣...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹鳎话銥閱谓M份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類(lèi)、堿類(lèi)、有機(jī)溶劑類(lèi)和其他類(lèi)。酸類(lèi)包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

本技術(shù)通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)...

隨著電子元器件制作要求的提高，相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢(shì)，并規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn)，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類(lèi)具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱(chēng)為光致抗蝕劑、...

目前的平面顯示裝置，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線的材料。但是因?yàn)殂t金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線的材料。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線材料，但是因?yàn)闊o(wú)適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***...

本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過(guò)在磷酸中添加醇醚類(lèi)和表面活性劑，來(lái)改善磷酸的浸潤(rùn)性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對(duì)氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過(guò)皮帶連接，所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述膠面收卷輥通過(guò)導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過(guò)導(dǎo)線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過(guò)導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進(jìn)一步的，所述干燥度...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體，所述裝置主體內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板，所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板，所述承載板上端表面放置有電解池，所...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下，能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以...

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖。具體實(shí)施方式目前剝離液機(jī)臺(tái)在工作...

也很難保證拖車(chē)在地磅頂部不移動(dòng)。在地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊40，卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽，在地磅的頂部設(shè)置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)，壓緊塊位于插槽中，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車(chē)的邊緣沿插槽插入后，氣缸帶動(dòng)壓緊塊下行將拖車(chē)緊緊壓...

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