CSELVCSEL（垂直腔面發射激光）二極管的特點如下：從其頂部發射出圓柱形射束，射束無需進行不對稱矯正或散光矯正，即可調制成用途***的環形光束，易與光纖耦合；轉換效率非常高，功耗*為邊緣發射LD的幾分之一；調制速度快，在1GHz以上；閾值很低,噪聲小；重直腔面很小，易于高密度大規模制作和成管前整片檢測、封裝、組裝，成本低。VCSEL采用三明治式結構，其中間只有20nm、1--3層的QW增益區，上、下各層是由多層外延生長薄膜形成的高反射率為100%的布拉格反射層，由此構成諧振腔。相干性極高的激光束***從其頂部激射出。多家廠商有1550nm低損耗窗口與低色散的可調諧VCSEL樣品展示。1310nm的產品預計在今后1--2年內上市。可調諧的典型器件是將一只普通980nmVCSEL與微光機電系統的反射腔集成組合，由曲形頂鏡、增益層、反射底鏡等構成可產生中心波長為1550nm的可調諧結構，用一個靜電控制電壓將位于支撐薄膜上的頂端反射鏡定位，改變控制電壓就可調整諧振腔體間隙尺寸，從而達到調整輸出波長的目的。在1528--1560nm范圍連續可調諧43nm，經過2.5Gb/s傳輸500km實驗無誤碼，邊模抑制優于50dB。利用激光破膜儀對早期胚胎進行精細操作，有助于深入研究胚胎發育過程中的細胞命運決定等機制。廣州DTS激光破膜PGD

產生激光的三個條件是：實現粒子數反轉、滿足閾值條件和諧振條件。產生光的受激發射的首要條件是粒子數反轉，在半導體中就是要把價帶內的電子抽運到導帶。為了獲得粒子數反轉，通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結，這樣，在外加電壓作用下，在結區附近就出現了粒子數反轉—在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子，而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴。實現粒子數反轉是產生激光的必要條件，但不是充分條件。要產生激光，還要有損耗極小的諧振腔，諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡，***物質所發出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射，不斷引起新的受激輻射，使其不斷被放大。只有受激輻射放大的增益大于激光器內的各種損耗，即滿足一定的閾值條件：P1P2exp（2G - 2A) ≥ 1（P1、P2是兩個反射鏡的反射率，G是***介質的增益系數，A是介質的損耗系數，exp為常數），才能輸出穩定的激光。美國1460 nm激光破膜LYKOS熱效應環顯示功能能夠清晰標示出激光熱效應范圍，讓操作人員對激光作用范圍一目了然。

20年前，我國育齡人群中的不孕不育率*為3%，處于全世界較低水平。2009中國不孕不育高峰論壇公布的《中國不孕不育現狀調研報告》顯示，全國不孕不育患者人數已超過5000萬，以25歲至30歲人數**多，呈年輕化趨勢。平均每8對育齡夫婦中就有1對面臨生育方面的困難，不孕不育率攀升到12.5%~15%，接近發達國家15%~20%的比率。**為嚴峻的是，這一發生比例還在不斷攀升，衛生組織**預估中國的不孕不育率將會在近幾年攀升到20%以上。衛生組織**認為，精神和環境的雙重壓力讓付出沉重的“生命代價”不孕不育已成為嚴重的社會問題。如何有效幫助不孕不育患者解決生育難題，對于社會，醫院及大夫都提出了更高的要求。胚胎異常是體外受精**終失敗的主要原因之一。英國研究人員開發出一種可篩查胚胎質量的新技術，有望提高試管嬰兒的成功率。 [2]在這種背景下，試管嬰兒技術應運而生。試管嬰兒技術是將卵子與精子分別取出后，置于試管內使其受精，受精卵發育為胚胎，后移植回母體子宮發育成胎兒的技術。試管嬰兒技術作為有效的輔助生殖手段成為大多數不孕不育夫婦的重要選擇，平均成功率為20-30%。

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發日趨成熟，國際上*少數幾家廠商可提供商用產品。優化器件結構，有源區為應變超晶格QW。有源區周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區附近的光波導區為DFB光柵，采用一些特殊的設計，如：波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續相移等結構，提高器件性能。生產技術中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性，電子束產生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸系統設備，對波長的選擇使DFB-LD在大容量、長距離光纖通信中成為主要光源。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發展中。研制成功的電吸收調制器集成光源，采用有源層與調制器吸收層共用多QW結構。調制器的作用如同一個高速開關，把LD輸出變換成二進制的0和1。胚胎活組織檢查時，可利用激光精確獲取胚胎部分組織用于遺傳學分析，且不影響胚胎后續發育。

***代試管嬰兒（invitrofertilization,IVF體外受精）解決的是因女性因素引致的不孕第二代試管嬰兒（intracytoplasmicsperminjection,ICSI單精子卵細胞漿內注射）解決因男性因素引致的不育問題第三代試管嬰兒（pre-implantationgeneticscreening/diagnosis,PGS胚胎植入前篩查）幫助人類選擇生育**健康的后代試管嬰兒技術給不孕不育夫婦們帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒，并成功擁有了自己的寶寶。科學研究發現，要想成功妊娠，健康胚胎很關鍵。而通過試管嬰兒方法獲得的胚胎有40-60%存在染色體異常，且隨著孕婦年齡越大，胚胎染色體異常的風險越高。染色體異常是導致妊娠失敗和自然流產的主要原因。因此，健康的胚胎是試管嬰兒成功的第一步，所以植入前遺傳學篩查（PDS）技術開始越來越受到重視。極體活組織檢查也離不開激光破膜儀的精確協助，為遺傳學研究提供重要樣本。香港1460 nm激光破膜胚胎干細胞

激光破膜儀憑借出色的性能與廣泛的應用，在微觀操作領域發揮著重要作用，為人類發展與科學進步貢獻力量 。廣州DTS激光破膜PGD

第三代試管嬰兒的技術也稱胚胎植入前遺傳學診斷/篩查 [1]（PGD/PGS） [1]，指在IVF-ET的胚胎移植前，取胚胎的遺傳物質進行分析，診斷是否有異常，篩選健康胚胎移植，防止遺傳病傳遞的方法。檢測物質取4～8個細胞期胚胎的1個細胞或受精前后的卵***二極體。取樣不影響胚胎發育。檢測用單細胞DNA分析法，一是聚合酶鏈反應（PCR），檢測男女性別和單基因遺傳病;另一種是熒光原位雜交（FISH），檢測性別和染色體病。第三代試管嬰兒技術可以進行性別選擇，但只有當子代性染色體有可能發生異常并帶來嚴重后果時，才允許進行性別選擇。本質上，第三代試管嬰兒技術選擇的是疾病，而不是性別。廣州DTS激光破膜PGD