從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數據率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩碚f，隨著數據傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內存子系統對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統設計帶來了更多、更大的挑戰。

Bank> Rank及內存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內部的一種結構，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內存顆粒內部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。 DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？黑龍江測量DDR3測試

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎上改進而來的，嚴格地說DDR應該叫作DDR SDRAM,人們習慣稱之為DDR。

DDRx發展簡介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規范于2000年由JEDEC組織 發布。DDR經過幾代的發展，現在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規范也巳經發 布，甚至出現了部分DDR4的產品。Cadence的系統仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 校準DDR3測試維修價格如何解決DDR3一致性測試期間出現的錯誤？

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環境，可以按前面161節反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。

在提取出來的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數，

單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。

高速DDRx總線系統設計

首先簡要介紹DDRx的發展歷程，通過幾代DDR的性能及信號完整性相關參數的 對比，使我們對DDRx總線有了比較所有的認識。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平， 以及新一代DDR4使用的POD電平，這能幫助我們在今后的設計中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關問題。接下來回顧一下源同步時鐘系統，并推導源同步時鐘系統的時序計算方法。 結果使用Cadence的系統仿真工具SystemSI,通過實例進行DDRx的信號完整性仿真和時序 分析。 如何選擇適用于DDR3一致性測試的工具？

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統中比較難以實現的地方。DDR規范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設計的復雜性留在控制器一端，從而使得外設(DDR存儲心片)的設計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統設計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質上就是要保證這兩個時序圖的正確性。什么是DDR3內存的一致性問題？校準DDR3測試維修價格

DDR3內存有哪些常見的容量大小？黑龍江測量DDR3測試

多數電子產品，從智能手機、PC到服務器，都用著某種形式的RAM存儲設備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結合，SDRAM作為大多數基于計算機產品 的主流存儲器技術被廣泛應用于各種高速系統設計中。

DDR是雙倍數率的SDRAM內存接口，其規范于2000年由JEDEC （電子工程設計發展 聯合協會）發布。隨著時鐘速率和數據傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統性能指標，或確保系統內部存儲器及其控制設備的互操作性方面的挑戰越來越大。存 儲器子系統的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 黑龍江測量DDR3測試