DDR3拓撲結構規劃：Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響，仿真驅動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。 DDR3一致性測試是否對不同廠商的內存模塊有效？四川DDR3測試價格多少

DDR 規范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統設計過程，以及將實際的設計需求和 DDR 規范中的主要性能指標相結合，我們以一個實際的設計分析實例來說明，如何在一個 DDR 系統設計中，解讀并使用 DDR 規范中的參數，應用到實際的系統設計中。是某項目中，對 DDR 系統的功能模塊細化框圖。在這個系統中，對 DDR 的設計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數據寬度，構成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個 Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

江西DDR3測試故障何時需要將DDR3內存模塊更換為新的？

 閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項 目欄中設置與提取耦合線模型相關的參數，如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當耦合線長度超過lOOmil時，按耦合模型提取，少于lOOmil時，按單線模 型提取。

 單擊Via modeling setup按鈕，在過孔模型設置界面將Target Frequency設置成533 MHz (因為要仿真的時鐘頻率是533MHz)。

 單擊OK按鈕，關閉參數設置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單，選擇DDR1_CK這個網絡(或者可以直接在Allegro界面中選取 網絡)。可以看到因為已經設置好差分線和差分模型，所以會自動帶出差分線DDRl_NCKo

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網絡，為這些信號網絡分組并定義單個或者多個網絡組。選擇網絡DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data,

設置完成后，岀現Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網絡組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網絡組設置完成。

單擊設置走線檢查參數(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設 置：勾選阻抗和耦合系數檢查兩個選項；設置走線耦合百分比為1%，上升時間為lOOps；選 擇對網絡組做走線檢查(Check by NetGroup)；設置交互高亮顯示顏色為白色。 DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應關系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網絡的分布參數模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口和其對應的電源地網絡對應起來，以更好地仿真SSN效應，這 個選項通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。DDR3一致性測試期間會測試哪些方面？江西DDR3測試故障

DDR3一致性測試需要運行多長時間？四川DDR3測試價格多少

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數據率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏。總的來說，隨著數據傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內存子系統對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統設計帶來了更多、更大的挑戰。

Bank> Rank及內存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內部的一種結構，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內存顆粒內部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。 四川DDR3測試價格多少