創(chuàng)建工程啟動SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對話框。 什么是DDR3內(nèi)存的一致性問題？北京設(shè)備DDR3測試

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時序要求：

初始時序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關(guān)閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預(yù)充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續(xù)時間。tWR：寫入恢復(fù)時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數(shù)據(jù)傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)據(jù)到期間延遲，表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長時間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK：數(shù)據(jù)到時鐘延遲，表示從數(shù)據(jù)到達內(nèi)存控制器到時鐘信號的延遲。tWTR/tRTW：不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時間，包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL：CAS延遲，即列訪問延遲，表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時序（Refresh Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示多少時間需要刷新一次內(nèi)存行。 信息化DDR3測試修理DDR3一致性測試是否適用于超頻內(nèi)存模塊？

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設(shè)計的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲心片)的設(shè)計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統(tǒng)設(shè)計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質(zhì)上就是要保證這兩個時序圖的正確性。

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時鐘信號頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數(shù)據(jù)和選通信號 仍然使用點對點或樹形拓撲，時鐘/地址/命令/控制信號則改用Fly-by的拓撲布線；數(shù)據(jù)和選 通信號有動態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調(diào)整時鐘和選通信號間因不同拓撲引起的 延時偏移，以滿足時序要求。DDR3內(nèi)存的一致性測試包括哪些內(nèi)容？

DDR信號的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因為，在DDR中，信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時間的積分值，就是能量!因此，對于DDR信號而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的，而且能量信號這個特性，會延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中，我們會在DDR2和DDR3的信號體制中，更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然，除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3一致性測試期間會測試哪些方面？陜西DDR3測試方案商

DDR3一致性測試需要運行多長時間？北京設(shè)備DDR3測試

可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。

(1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。

(2)在產(chǎn)品選擇界面選項中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當(dāng)前DDR_文件的同一目錄下，這樣，工具會自動?xùn)苏业侥夸浵碌钠骷Ｐ汀?北京設(shè)備DDR3測試