· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設(shè)計建議，甚至參考設(shè)計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。

· 參考設(shè)計，ReferenceDesign：對于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會提供一些參考設(shè)計，以幫助使用者盡快實現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進行更改。

· IBIS 文件：這個對高速設(shè)計而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進行一致性測試？北京DDR3測試DDR測試

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件，并自動在PowerSI軟件界面中打開。 廣東DDR3測試維修價格是否可以使用多個軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測試？

DDR3拓撲結(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，F(xiàn)ly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時很多 設(shè)計人員還是習(xí)慣使用T拓撲結(jié)構(gòu)。

單擊Next按鈕，出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口，確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。

  單擊Save File with Error Check保存文件，保存結(jié)束后，單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后，仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結(jié)果只有 Net Impedance Summary 和 Net Co叩ling Summaryo

  單擊Net Impedance Summary,出現(xiàn)阻抗總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱、無參 考平面的走線數(shù)目、回流不連續(xù)的走線數(shù)目、過孔數(shù)目、比較大阻抗值、小阻抗值、主導(dǎo)阻 抗值、主導(dǎo)阻抗走線長度百分比、走線總長度、走線延時。 DDR3一致性測試是否對不同廠商的內(nèi)存模塊有效？

DDR 規(guī)范的時序要求

在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后，下一步，我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對于信號的時序要求。這是我們所設(shè)計的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。

在規(guī)范文件中，有很多時序圖，筆者大致計算了一下，有 40 個左右。作為高速電路設(shè)計的工程師，我們不可能也沒有時間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對比驗證，那么哪些時序圖才是我們關(guān)注的重點？事實上，在所有的這些時序圖中，作為 SI 工程師，我們需要關(guān)注的只有兩個，那就是規(guī)范文件的第 69 頁，關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個基本的時序圖（注意，這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器，也即 FPGA 的角度來講的）。為方便讀者閱讀，筆者把這兩個時序圖拼在了一起，而其他的時序圖的實現(xiàn)都是以這兩個圖為基礎(chǔ)的。在板級系統(tǒng)設(shè)計中，只要滿足了這兩個時序圖的質(zhì)量，其他的時序關(guān)系要求都是對這兩個時序圖邏輯功能的擴展，應(yīng)該是 DDR 控制器的邏輯設(shè)計人員所需要考慮的事情。 DDR3一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？天津DDR3測試維修電話

進行DDR3一致性測試時如何準備備用內(nèi)存模塊？北京DDR3測試DDR測試

DDRx接口信號的時序關(guān)系

DDR3的時序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時序設(shè)計要求。 一組是DQ和DQS的等長關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號的時序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關(guān)系，也就是時鐘和地址控制總線的關(guān)系；一組是CLK和DQS的關(guān)系， 也就是時鐘和選通信號的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號的時序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個 方向的時序關(guān)系。

要注意各組時序的嚴格程度是不一樣的，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號，需要非常嚴格的 等長關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家，對DQ組的等長關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi)，在高速的 DDR3設(shè)計時，甚至?xí)笤凇?mil以內(nèi)。相對來說地址控制和時鐘組的時序關(guān)系會相對寬松 一些，常見的可能有幾百mil。同時要留意DQS和CLK的關(guān)系，在絕大多數(shù)的DDR設(shè)計里 是松散的時序關(guān)系，DDR3進行Fly-by設(shè)計后更是降低了 DQS和CLK之間的時序控制要求。 北京DDR3測試DDR測試