重復步驟6至步驟9,設置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。
在所要仿真的時鐘網絡中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻,其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統一進行設置,
(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕,在界面中設置電阻模型后,單擊OK按鈕賦上電阻模型。
同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。
上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來設置。 DDR3一致性測試是否適用于非服務器計算機?信號完整性測試DDR3測試協議測試方法
常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例,通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。
在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差,系統工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后,可以正常工作。 通信DDR3測試執行標準是否可以在已通過一致性測試的DDR3內存模塊之間混搭?
容量與組織:DDR規范還涵蓋了內存模塊的容量和組織方式。DDR內存模塊的容量可以根據規范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。DDR內存模塊通常以多個內存芯片排列組成,其中每個內存芯片被稱為一個芯粒(die),多個芯粒可以組成密集的內存模塊。電氣特性:DDR規范還定義了內存模塊的電氣特性,包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對于確保DDR內存模塊的正常工作和兼容性至關重要。兼容性:DDR規范還考慮了兼容性問題,確保DDR內存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。
DDR(Double Data Rate)是一種常見的動態隨機存取存儲器(DRAM)技術,它提供了較高的數據傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統的概述:
架構:DDR系統由多個組件組成,包括主板、內存控制器、內存槽和DDR內存模塊。主板上的內存控制器負責管理和控制DDR內存模塊的讀寫操作。數據傳輸方式:DDR采用雙倍數據傳輸率,即在每個時鐘周期內進行兩次數據傳輸,相比于單倍數據傳輸率(SDR),DDR具有更高的帶寬。在DDR技術中,數據在上升沿和下降沿時都進行傳輸,從而實現雙倍數據傳輸。速度等級:DDR技術有多個速度等級,如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級表示內存模塊的速度和帶寬,通常以頻率來表示(例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz)。不同的速度等級對應著不同的數據傳輸速度和性能。 DDR3內存的一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環境?
DDR3信號質量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高,信號電平降低,信號質量問題也會變得突出。比如DDR1的數據信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質量;DDR2/3/4會將外部電阻變成內部ODT;對于多負載的控制命令信號,DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接,而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅動能力的選擇等方面,可以通過仿真 來得到正確驅動和端接,使DDR工作時信號質量改善,從而增大DDRI作時序裕量。DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行?信號完整性測試DDR3測試協議測試方法
何時需要將DDR3內存模塊更換為新的?信號完整性測試DDR3測試協議測試方法
重復以上步驟,分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系,置完其中一個,單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,將會同時更新其他Memory 模塊。
3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型:第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊;第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型;第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯,利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉,這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 信號完整性測試DDR3測試協議測試方法