加速度傳感器是很早廣泛應用的MEMS之一。MEMS，作為一個機械結構為主的技術，可以通過設計使一個部件(圖中橙色部件)相對底座substrate產生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個部件稱為質量塊（proofmass）。質量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當感應到加速度時，質量塊相對底座產生位移。通過一些換能技術可以將位移轉換為電能，如果采用電容式傳感結構（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結構可以極大地擴大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加速度計還可以通過壓阻式、力平衡式和諧振式等方式實現。MEMS是一種現代化的制造技術。福建MEMS微納米加工市場

SU8微流控模具加工技術與精度控制：SU8作為負性光刻膠，廣泛應用于6英寸以下硅片、石英片的單套或套刻微流控模具加工，可實現5-500μm高度的三維結構制造。加工流程包括：基板清洗→底涂處理→SU8涂膠（轉速500-5000rpm，控制厚度1-500μm）→前烘→曝光（紫外光強度50-200mJ/cm2）→后烘→顯影（PGMEA溶液，時間1-10分鐘）。通過優化曝光劑量與顯影時間，可實現側壁垂直度＞88°，**小線寬10μm，高度誤差＜±2%。在多層套刻加工中，采用對準標記視覺識別系統（精度±1μm），確保上下層結構偏差＜5μm，適用于復雜三維流道模具制備。該模具可用于PDMS模塑成型，復制精度達95%以上，流道表面粗糙度Ra＜100nm。典型應用如細胞培養芯片模具，其微柱陣列（直徑50μm，高度200μm，間距100μm）可模擬細胞外基質環境，促進干細胞定向分化，細胞黏附率提升40%。公司具備從模具設計、加工到復制成型的全鏈條能力，支持SU8與硅、玻璃等多種基板的復合加工，為微流控芯片開發者提供了高精度、高性價比的模具解決方案。天津MEMS微納米加工怎么樣超透鏡的電子束直寫和刻蝕工藝其實并不復雜。

MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝，構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導電聚合物，電荷注入容量（CIC）達2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術，實現電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設計，例如針對癲癇監測的16通道電極，植入后機械應力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養芯片，實時監測神經元放電頻率與網絡同步性，為神經退行性疾病研究提供動態數據支持。

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝，將襯底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封裝。該技術突破了高壓器件與低壓電路的集成瓶頸，推動MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向發展，在植入式醫療設備、工業控制傳感器等領域具有廣闊應用前景。超薄石英玻璃雙面套刻加工技術，在 100μm 以上基板實現微流道與金屬電極的高精度集成。

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負責接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換，將不受歡迎的頻率信號濾除。微流控與金屬片電極鑲嵌工藝，解決流道與電極集成的接觸電阻問題并提升檢測穩定性。哪些是MEMS微納米加工的技術服務

自研超聲收發芯片輸出電壓達 ±100V、電流 1A，部分性能指標超越國際品牌 TI。福建MEMS微納米加工市場

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 福建MEMS微納米加工市場