MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測：

光電導取樣光電導取樣是基于光導天線(photoconductiveantenna,PCA)發射機理的逆過程發展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術。如要對THz脈沖信號進行探測，首先，需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個光學門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中，這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調節的時間延遲關系，而這個關系可利用一個延遲線來加以實現，爾后，用一束探測脈沖打到光電導介質上，這時在介質中能夠產生出電子-空穴對(自由載流子)，而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場，以此來驅動那些載流子運動，從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可， PVD磁控濺射、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕是構成MEMS技術的必備工藝。黑龍江MEMS微納米加工發展現狀

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面傳播，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時，就容易對信號進行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術，實現的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 青海哪些是MEMS微納米加工MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求。

微納結構的臺階儀與SEM測量技術：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關鍵的計量手段，確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結構觀測，配備二次電子探測器，可實現5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復制過程中，SEM檢測模具結構的完整性，避免因缺陷導致的芯片流道堵塞。公司建立了標準化測量流程，針對不同材料與結構選擇合適的測量方法，如柔性PDMS芯片采用光學臺階儀非接觸測量，硬質芯片結合SEM與臺階儀進行三維尺寸分析。通過大數據統計過程控制（SPC），將關鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上，確保加工精度滿足需求，為客戶提供可追溯的質量保障。

超薄PDMS與光學玻璃的鍵合工藝優化：超薄PDMS（100μm以上）與光學玻璃的鍵合技術實現了柔性微流控芯片與高透光基板的集成，適用于熒光顯微成像、單細胞觀測等場景。鍵合前，PDMS基板經氧等離子體處理（功率50W，時間20秒）實現表面羥基化，光學玻璃通過UV-Ozone清洗去除有機物污染；然后在潔凈環境下對準貼合，施加0.2MPa壓力并室溫固化2小時，形成不可逆共價鍵，透光率＞95%@400-800nm，鍵合界面缺陷率＜1%。超薄PDMS的柔韌性（彈性模量1-3MPa）可減少玻璃基板的應力集中，耐彎曲半徑＞10mm，適用于動態培養環境下的細胞觀測。在單分子檢測芯片中，鍵合后的玻璃表面可直接進行熒光標記物修飾，背景噪聲較傳統塑料基板降低60%，檢測靈敏度提升至單分子級別。公司開發的自動對準系統，定位精度±2μm，支持4英寸晶圓級批量鍵合，產能達500片/小時，良率＞98%。該工藝解決了軟質材料與硬質光學元件的集成難題，為高精度生物檢測與醫學影像芯片提供了理想的封裝方案。高壓 SOI 工藝實現芯片內高壓驅動與低壓控制集成，耐壓超 200V 并降低寄生電容 40%。

MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術：

太赫茲波是天文探測領域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前，太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規模太赫茲陣列接收機發展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段， 超聲芯片封裝采用三維堆疊技術，縮小尺寸 40% 并提升信噪比至 73.5dB，優化成像質量。上海MEMS微納米加工性價比

SU8 硅片 / 石英片微流控模具加工技術，支持 6 英寸以下基板單套或套刻的高精度結構復制。黑龍江MEMS微納米加工發展現狀

熱壓印技術在硬質塑料微流控芯片中的應用：熱壓印技術是實現PMMA、PS、COC、COP等硬質塑料微結構快速成型的**工藝，較傳統注塑工藝具有成本低、周期短、圖紙變更靈活等優勢。工藝流程包括：首先利用光刻膠在硅片上制備高精度模具，微結構高度5-100μm，側壁垂直度＞89°；然后將塑料基板加熱至玻璃化轉變溫度以上（如PMMA為110℃），在5-10MPa壓力下將模具結構轉印至基板，冷卻后脫模。該技術可實現0.5μm的特征尺寸分辨率，流道尺寸誤差＜±1%，適用于微流道、微孔陣列、透鏡陣列等結構加工。以數字PCR芯片為例，熱壓印制備的50μm直徑微腔陣列，單芯片可容納20,000個反應單元，配合熒光檢測實現核酸分子的***定量，檢測靈敏度達0.1%突變頻率。公司開發的快速換模系統可在30分鐘內完成模具更換，支持小批量生產（100-10,000片），從設計圖紙到樣品交付**短*需10個工作日，較注塑縮短70%周期。此外，通過表面涂層處理（如疏水化、親水化），可定制芯片表面潤濕性，滿足不同檢測場景的流體控制需求，成為研發階段快速迭代與中小批量生產的優先工藝。黑龍江MEMS微納米加工發展現狀