基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理：

聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過外加一正電壓產(chǎn)生聲波，并通過襯底進行傳播，然后轉(zhuǎn)換成電信號輸出。聲表面波傳感器中起主導作用的主要是壓電效應，其設計時需要考慮多種因素:如相對尺寸、敏感性、效率等。一般地，無線無源聲表面波傳感器的信號頻率范圍從40MHz到幾個GHz。圖2所示為聲表面波傳感器常見的結(jié)構(gòu)，主要部分包括壓電襯底天線、敏感薄膜、IDT等。傳感器的敏感層通過改變聲表面波的速度來實現(xiàn)頻率的變化。

無線無源聲表面波系統(tǒng)包:發(fā)射器、接收器、聲表面波器件、通信頻道。發(fā)射器和接收器組合成收發(fā)器或者解讀器的單一模塊。圖3為聲表面波系統(tǒng)及其相互關聯(lián)的基礎部件。解讀器將功率傳送給聲表面波器件，該功率可以是收發(fā)器輸入的連續(xù)波，脈沖或者喝啾。一般地，聲表面波器件獲得的功率大小具有一定限制，以降低發(fā)射功率，從而得到相同平均功率的喝啾。根據(jù)各向同性的輻射體，接收的信號一般能通過高效的輻射功率天線發(fā)射。 自研超聲收發(fā)芯片輸出電壓達 ±100V、電流 1A，部分性能指標超越國際品牌 TI。甘肅MEMS微納米加工之柔性電極定制

MEA柔性電極：MEMS工藝開發(fā)的MEA（微電極陣列）柔性電極，是腦機接口（BCI）與類***電生理研究的**技術(shù)載體。該電極采用超薄柔性基底材料（如聚酰亞胺或PDMS），厚度可精細控制在10-50微米范圍內(nèi)，表面通過光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機接口領域，柔性電極通過微創(chuàng)手術(shù)植入大腦皮層，用于癲癇病灶的精細定位與閉環(huán)電刺激***。在類***研究中，電極陣列與腦類***共培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合，可長期監(jiān)測神經(jīng)元網(wǎng)絡的自發(fā)電活動與突觸可塑性變化，為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數(shù)據(jù)。此外，公司開發(fā)的“仿生褶皺結(jié)構(gòu)”柔性電極，通過力學匹配設計進一步降低植入后的機械應力，延長器件使用壽命至少5年以上。MEMS微納米加工客服電話多圖拼接測量技術(shù)通過 SEM 圖像融合，實現(xiàn)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的亞微米級精度全景表征。

微機電系統(tǒng)是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統(tǒng)，是一個智能系統(tǒng)。主要由傳感器、作動器和微能源三大部分組成。微機電系統(tǒng)具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度。微機電系統(tǒng)。它是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)微機電系統(tǒng)。微機電系統(tǒng)涉及航空航天、信息通信、生物化學、醫(yī)療、自動控制、消費電子以及兵器等應用領域。微機電系統(tǒng)的制造工藝主要有集成電路工藝、微米/納米制造工藝、小機械工藝和其他特種加工工種。微機電系統(tǒng)技術(shù)基礎主要包括設計與仿真技術(shù)、材料與加工技術(shù)、封裝與裝配技術(shù)、測量與測試技術(shù)、集成與系統(tǒng)技術(shù)等。

MEMS發(fā)展的目標在于，通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng)，開辟一個新技術(shù)領域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機電系統(tǒng)所不能完成的任務，也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中，把自動化、智能化和可靠性水平提高到一個新的水平。21世紀MEMS將逐步從實驗室走向?qū)嵱没?，對工農(nóng)業(yè)、信息、環(huán)境、生物工程、醫(yī)療、空間技術(shù)和科學發(fā)展產(chǎn)生重大影響。MEMS(微機電系統(tǒng))大量用于汽車安全氣囊，而后以MEMS傳感器的形式被大量應用在汽車的各個領域，隨著MEMS技術(shù)的進一步發(fā)展，以及應用終端“輕、薄、短、小”的特點，對小體積高性能的MEMS產(chǎn)品需求增勢迅猛，消費電子、醫(yī)療等領域也大量出現(xiàn)了MEMS產(chǎn)品的身影?；⌒沃狱c陣加工技術(shù)通過激光直寫與刻蝕實現(xiàn)仿生結(jié)構(gòu)，優(yōu)化細胞黏附與流體動力學特性。

柔性電極的生物相容性表面改性技術(shù)：柔性電極的長期植入性能依賴于表面生物相容性改性，公司采用多層涂層工藝解決蛋白吸附與炎癥反應問題。以PI基柔性電極為基底，首先通過等離子體處理引入羥基基團，然后接枝硅烷偶聯(lián)劑（如APTES）形成活性界面，再通過層層自組裝技術(shù)沉積PEG（聚乙二醇）與殼聚糖復合層，**終涂層厚度5-15nm。該涂層可使水接觸角從85°降至50°，蛋白吸附量從100ng/cm2降至＜10ng/cm2，中性粒細胞黏附率下降80%。在動物植入實驗中，改性后的電極在體內(nèi)留置3個月，周圍組織纖維化程度較未處理組減輕60%，信號衰減＜15%，而對照組衰減達40%。該技術(shù)適用于神經(jīng)電極、心臟起搏電極等植入器件，結(jié)合MEMS加工的超薄化設計（電極厚度＜10μm），降低手術(shù)創(chuàng)傷與長期植入風險。公司支持定制化涂層配方，可根據(jù)應用場景調(diào)整親疏水性、電荷性質(zhì)及生物活性分子（如生長因子）接枝，為植入式醫(yī)療設備提供個性化表面改性解決方案。MEMS器件制造工藝更偏定制化?，F(xiàn)代MEMS微納米加工服務熱線

隨著科技的不斷進步，MEMS 微納米加工的精度正在持續(xù)提高，趨近于原子級別的操控。甘肅MEMS微納米加工之柔性電極定制

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 甘肅MEMS微納米加工之柔性電極定制