硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝光顯影，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層，***通過**剝離得到完整電極結構。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm，接觸電阻＜1Ω?cm2。針對植入式醫療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理，通過硅烷偶聯劑共價鍵合，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上，炎癥反應發生率下降60%。該技術應用于神經電極時，16通道電極陣列的信號噪聲比＞20dB，可穩定記錄單個神經元放電信號達3個月以上。在傳感器領域，硅基金電極對葡萄糖的檢測靈敏度達100μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.01-10mM，適用于血糖監測芯片。公司支持多種金屬材料（如鈦、鉑、銥）與基板的組合加工，滿足不同應用場景對電極導電性、耐腐蝕性的需求。128 像素視網膜假體芯片已批量交付，臨床前實驗針對視網膜病變患者重建基本視力。安徽現代MEMS微納米加工

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水分含量，分辨率達0.1%，檢測時間＜1秒，較傳統電阻法精度提升5倍。公司開發的納米壓印技術實現了天線陣列的低成本復制，單晶圓（4英寸）產能達1000片以上，良率＞85%，推動太赫茲技術從實驗室走向便攜式設備，為無損檢測與生物傳感提供了全新維度的解決方案。西藏MEMS微納米加工生物芯片太赫茲柔性電極以 PI 為基底構建雙面結構，適用于非侵入式生物檢測與材料無損探測。

新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止到目前，硅基MEMS發展已經有40多年的發展歷程，如何提高產品性能、降低成本是全球企業都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中，搶先一步投入應用，將是國產MEMS彎道超車的好時機。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進行集成一體化，也是MEMS產業新機會。提高自主創新意識，加強創新能力，也不是那么的遙遠。

微納結構的臺階儀與SEM測量技術：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關鍵的計量手段，確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結構觀測，配備二次電子探測器，可實現5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復制過程中，SEM檢測模具結構的完整性，避免因缺陷導致的芯片流道堵塞。公司建立了標準化測量流程，針對不同材料與結構選擇合適的測量方法，如柔性PDMS芯片采用光學臺階儀非接觸測量，硬質芯片結合SEM與臺階儀進行三維尺寸分析。通過大數據統計過程控制（SPC），將關鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上，確保加工精度滿足需求，為客戶提供可追溯的質量保障。公司開發的神經電子芯片支持無線充電與通訊，可將電信號轉化為脈沖用于神經調控替代。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實現聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過逆壓電效應將愉入的電信號轉變成聲信號，此聲信號沿基片表面傳播，然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號轉變成電信號輸出。整個聲表面波器件的功能是通過對在壓電基片上傳播的聲信號進行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。SU8 硅片 / 石英片微流控模具加工技術，支持 6 英寸以下基板單套或套刻的高精度結構復制。遼寧MEMS微納米加工服務

MEMS的主要材料是什么？安徽現代MEMS微納米加工

MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：

在半導體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優劣，各有特點。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達到刻蝕的目的。因為濕法刻蝕是利用化學反應來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性，因此濕法刻蝕過程為等向性。

濕法刻蝕過程可分為三個步驟:

1)化學刻蝕液擴散至待刻蝕材料之表面;

2)刻蝕液與待刻蝕材料發生化學反應;

3)反應后之產物從刻蝕材料之表面擴散至溶液中，并隨溶液排出。濕法刻蝕之所以在微電子制作過程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產能及優越的刻蝕選擇比等優點。

但相對于干法刻蝕，除了無法定義較細的線寬外，濕法刻蝕仍有以下的缺點:1)需花費較高成本的反應溶液及去離子水:2)化學藥品處理時人員所遭遇的安全問題:3)光刻膠掩膜附著性問題;4)氣泡形成及化學腐蝕液無法完全與晶片表面接觸所造成的不完全及不均勻的刻蝕 安徽現代MEMS微納米加工