***溫度檢測模塊用于檢測***分區的溫度值，并將檢測到的***分區溫度值發送給控制模塊，***加熱模塊用于加熱***分區；第二分區包括第二加熱模塊和第二溫度檢測模塊，第二溫度檢測模塊用于檢測第二分區的溫度值，并將檢測到的第二分區溫度值發送給控制模塊，第二加熱模塊用于加熱第二分區；控制模塊接收到***分區溫度值和第二分區溫度值后，控制模塊計算***分區溫度值和第二分區溫度值的差值，若差值大于預設的精度值，則控制模塊調整***加熱模塊或者第二加熱模塊的輸出功率，直到差值小于精度值。其中，***溫度檢測模塊和第二溫度檢測模塊為熱敏電阻。其中，***溫度檢測模塊和第二溫度檢測模塊為鉑熱電阻。其中，***加熱模塊包括***功率繼電器和***加熱絲，控制模塊通過調整***功率繼電器的輸出功率，調整***加熱絲的功率。其中，第二加熱模塊包括第二功率繼電器和第二加熱絲，控制模塊通過調整第二功率繼電器的輸出功率，調整第二加熱絲的功率。其中，***溫度檢測模塊和第二溫度檢測模塊采用型號為pt1000的鉑熱電阻。其中，控制模塊在加熱升溫階段和冷卻降溫階段的精度值大于溫度穩定階段的精度值。其中，控制模塊在加熱升溫階段精度值為℃。其中。控制模塊降低溫度較高的分區的功率繼電器的輸出功率。上海 PA2012-FC-PCC20A加熱板

    本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶圓加熱裝置。背景技術：隨著科技進步，晶片的加工工藝越來越復雜，要求在單位晶圓面積內制作的器件更多，致使晶圓內線路的寬度變得更窄，晶圓在熱盤上加熱時，對熱盤溫度的均勻性要求更高。晶圓加熱中使用的熱盤都是由上盤和壓片中夾一塊加熱片，或是在上盤中埋入幾個加熱管構成，通過一個溫度傳感器和一個控制器控制熱盤的溫度。使得熱盤表面溫度并不均勻，不能滿足高精度晶圓的加工需求。再如中國實用新型u所公開的一種電控晶圓加熱盤，包括硅橡膠電熱圈、熱導金屬板、晶圓托盤、電子顯示盒和屏蔽罩。所述硅橡膠電熱圈與熱導金屬板連接；所述熱導金屬板與電子顯示盒連接；所述晶圓托盤放置在熱導金屬板上方，并與電子顯示盒相連；所述的屏蔽罩與電子顯示盒相連，該實用新型只使用一個電熱圈，會出現加熱不均勻的情況。技術實現要素：一、要解決的技術問題針對現有技術所存在的上述缺陷，現有的晶圓加熱方法存在的均勻性不佳的問題。二、技術方案為解決上述問題，特提供一種晶圓加熱裝置，晶圓加熱裝置包括控制模塊和多分區熱盤，多分區熱盤包括***分區和第二分區；***分區包括***加熱模塊和***溫度檢測模塊。MSA FACTORYPA2020-FC-PCC20A加熱板總經銷而當使用多層加熱桶時，則由于加熱桶體積變大、結構變得復雜，因此生產成本增加。

    電熱恒溫加熱板由箱殼、微晶玻璃加熱面、陶瓷纖維加熱盤及高溫鎳鎘爐絲，控制盒構成。箱殼分兩種：一種為全不銹鋼，另一種為較好的碳鋼沖壓而成。表面靜電噴塑。溫控采用智能型數碼顯示溫控器，控溫準確可靠。電熱恒溫加熱板使用方便，散熱均勻，堅固耐用。因其電熱絲暗藏于殼體內部，不裸露外表，適用于不能直接接觸明火的物品加熱，保溫作用。該產品用于大專院校、石油化工、醫藥、環保等實驗室液體加熱用。電熱恒溫加熱板維護保養及注意事項：1.每次使用結束后，關掉電源開關。2.長時間不用需拔掉電源插頭，并將加熱板放在干燥處并套好塑料防塵罩。3.儀器在維修前必須先清理干凈。4.使用說明書在使用過程中要保存好。5.加熱板將不對纂改保護裝置而造成的財產、人和物產生的損失負責。6.將對不遵守規定和預防措施而造成的財產，人和物造成的損失概不負責。7.將對使用不負責任，以及不按使用說明書說明操作造成的缺陷和功能障礙不負責。8.確保定期的檢查維護所有的操作是否正常，包括清潔，定期檢查和保證儀器使用時的安全性。

    沉積摻雜硼磷的氧化層含有硼磷雜質的SiO2層，有較低的熔點，硼磷氧化層(BPSG)加熱到800oC時會軟化并有流動特性，可使晶圓表面初級平坦化。深處理濺鍍***層金屬利用光刻技術留出金屬接觸洞，濺鍍鈦+氮化鈦+鋁+氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結構，并用PECVD在上面沉積一層SiO2介電質。并用SOG(spinonglass)使表面平坦，加熱去除SOG中的溶劑。然后再沉積一層介電質，為沉積第二層金屬作準備。（1）薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學反應的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長法、HCVD，PECVD等。PVD有濺射法和真空蒸發法。一般而言，PVD溫度低，沒有毒氣問題；CVD溫度高，需達到1000oC以上將氣體解離，來產生化學作用。PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些，PVD適用于在光電產業，而半導體制程中的金屬導電膜大多使用PVD來沉積，而其他絕緣膜則大多數采用要求較嚴謹的CVD技術。以PVD被覆硬質薄膜具有**度，耐腐蝕等特點。（2）真空蒸發法。在高溫下加熱器周圍形成油脂或石灰石，從而降低熱導率、縮短加熱器的壽命、增大耗電率。

    每組加熱片的形狀均是拱形包抄著由中心點o向外拓展；相鄰兩組加熱片包抄的拐點彼此錯開，每組加熱片的自由端分別連結電源的兩極。其中，加熱片的數目可以是如圖4所示為兩組，包括：***加熱片6和第二加熱片7；所述***加熱片6的***迂回端61和第二加熱片7的第二迂回端71彼此縱橫組成曲折的留置區8。本發明的***個實施例：如圖4所示，所述每組加熱片為單獨設立彼此分離，座落中心點o附近的加熱片的自由端連結著相同電極，***熱弧片60和第二熱弧片70分別與***加熱片6和第二加熱片7連結。在該實行例中，由于多組加熱片是單獨設立的，因此當加熱片受熱后，其自身可以具足夠大的延展空間，不會影響總體的變形，從而化解了技術疑問一；而中心對稱設立的多組加熱片可以合理擺設加熱片的電極，如圖4所示，在中心對稱的外邊沿可以設立相同的電極，而中心點o的附近連通相同的另一個電極，這種長距離分布，可以防范電源短路，進而化解了技術疑問二。同時，為了確保加熱的平穩，中心對稱的加熱片可以很好的通過錯位，讓相鄰兩組加熱片之間的留置區8布置的更合理，而這種合理的相距可以避免圖3所示的，兩組加熱片附近的加熱片變形等，進而化解了技術疑問三。輔助加熱水套與中心加熱筒2連通的一端用于輔助加熱，封閉端用于線圈7的安裝檢修。MSA FACTORYPA8020-CC-PCC200V加熱板

攪拌器附件優異的性能與智能技術令人印象深深的高性能。上海 PA2012-FC-PCC20A加熱板

    **名稱：一種高頻加熱時精確控制溫度的方法技術領域：本發明涉及一種高頻加熱時溫度控制的方法，具體涉及一種晶體管高頻加熱時精確控制溫度的裝置及方法。背景技術：在冶煉、鍛造、熱拉、熱裝、焊接、熱處理等金屬制造業領域，高頻加熱的方法已開始逐漸代替傳統的加熱方法，高頻加熱作為一種新型的加熱方式具有節約能源、加熱靈活、操作方便等優點。在金屬材料熱處理領域，由于不同的材料比較好淬火溫度有所不同，因此需要能夠精確的控制溫度。高頻加熱的方式雖然具有一系列的優點，但在其溫度控制方法上仍然存在以下的不足1，通過傳統的時間控制的熱處理的淬火溫度在士30°C左右，并且受輸入電壓、環境溫度、工件尺寸公差、感應器等因素影響可能溫度波動還要大，而理想的熱處理的淬火溫度是在目標溫度士10°c范圍內，因此在加工溫度精度要求比較高的材料時，傳統的方法不能滿足質量的要求；2，即使通過紅外溫度控制等方式，排除輸入電壓、環境溫度、工件尺寸公差、感應器等因素的影響，晶體管高頻加熱工件，當外界給出高頻斷開信號時，由于電源控制系統的問題，高頻不能在這一瞬間斷開，高頻斷開往往有個時間滯后，并且這個滯后時間存在一定誤差。上海 PA2012-FC-PCC20A加熱板

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