KY-ZB3型周波觸發器是工業電加熱系統中相當有廣泛應用的SSR信號處理控制器。具有周期過零式（PWM占空比控制）和周波過零式（CYC變周期控制）兩種控制方式。觸發器采用鎖相環同步電路、自動判別相位。可做為單相調功、三相三控、三相兩控過零觸發控制。其優越的周波過零控制使負載電流的通斷是按正弦波均勻分布的。它提高了調節精度和電源的利用效率以及避免了打表針現象，節電效果也十分明顯。主要應用于電阻性負載、溫度加熱控制單元以及各種工業爐等。為了減小器件因過壓擊穿造成損壞的可能性和提高整流裝置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。可控硅整流

    只要用萬用表測出A極和G極即可。將萬用表置于R×1kΩ檔，兩表筆任接被測晶閘管的某兩個引腳(測其正、反向電阻值)，若測出某對引腳為低阻值時，則黑表筆接的陽極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時，陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大；陽極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時)為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無窮大。若測得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發能力檢測：將萬用表置于R×1Ω檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得阻值應為無窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個人體感應信號，若此時A、K極之間的電阻值由無窮大變為低阻值(數歐姆)，則說明晶閘管的觸發能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。驅動可控硅芯片廠家可控硅調整器采用移相式觸發方式、適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側等各種負載類型。

雙向晶閘管的電極引線不規則，通常G極是在T1極側引出而不是T2極側。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區別的，雙向晶閘管的觸發通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發脈沖時，可控硅才被觸發導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發脈沖到來的時間，來進一步調節負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。

    該充電器除可為各種鎳鎘電池充電外，也可為干電池充電。其充電電流可調。充電終止電壓由RP1預先確定。開始充電時，電池組兩端電壓較低，不足以使晶體管VT導通。由RC組成的移相電路給可控硅提供觸發電流。移相角度由RP2決定。負半周時可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式經電池組充電。調整RP2即可調整充電電流，比較大充電電流由R1既定。指示燈串在電路中以指示充電情況和充電電流的大小。R3用以調節指示燈的亮度。當電池組電壓慢慢升高，快到預定值時，三極管開始導通，可控硅的導通角減小，充電電流下降，直至完全截止，這樣充電自動停止，并使電池組保持在預定電壓上。因為當電壓下降時，晶體管又趨向截止，可控硅重新啟動，不過此時導通角很小，電流出很小，對充電電池有保護作用，防止過充。元器件選擇與制作元器件清單見下表。編號名稱型號數量R1電阻（需調整）1R2電阻1R3電阻根據指示燈選用1RP1電位器100K1RP2電位器2K1C滌綸電容1VD1、VD2晶體二極管2CP類2VT晶體三極管3DG類1VS單向可控硅1A/25V1元器件連接完成，檢查無誤，即可進行調整。調整時，將電流表串在輸入回路中，先將R3短路，RP2旋至阻值**小處，調整R1。整流器可以由真空管，引燃管，固態矽半導體二極管，汞弧等制成。

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整流器還用在調幅(AM)無線電信號的檢波。可控硅整流

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