發展史：

1906年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee）發明了真空三極管（電子管）。***代電子產品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現了***塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產品向更小型化發展。集成電路從小規模集成電路迅速發展到大規模集成電路和超大規模集成電路，從而使電子產品向著高效能、低能耗、高精度、高穩定、智能化的方向發展。由于，電子計算機發展經歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發展的四個階段的特性，所以下面就從電子計算機發展的四個時代來說明電子技術發展的四個階段的特點。 無錫微原科技，推動電子元器件向智能化發展。閔行區電子元器件設計

數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量，可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成(VLSI)電路和特大規模集成(ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內，或元器件數不超過100個；中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間，或元器件數在100-1000個之間；大規模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數在1000個以上；超大規模集成電路包含的門電路在1萬個以上；特大規模集成電路包含的門電路在10萬個以上。它包括：基本邏輯門、觸發器、寄存器、譯碼器、驅動器、計數器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。惠山區電子元器件性能無錫微原科技，專注于電子元器件的研發與創新。

將一光源對準光敏電阻的透光窗口，此時萬用表的指針應有較大幅度的擺動，阻值明顯減些 此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內部開路損壞，也不能再繼續使用。C 將光敏電阻透光窗口對準入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動，使其間斷受光，此時萬用表指針應隨黑紙片的晃動而左右擺動。如果萬用表指針始終停在某一位置不隨紙片晃動而擺動，說明光敏電阻的光敏材料已經損壞。電容器1 固定電容器的檢測A 檢測10pF以下的小電容 因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬用表進行測量，只能定性的檢查其是否有漏電，內部短路或擊穿現象。測量時，可選用萬用表R×10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個引腳，阻值應為無窮大。若測出阻值(指針向右擺動)為零，則說明電容漏電損壞或內部擊穿。

場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。兩種型號的表示符號：3、場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。(2)場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。無錫微原科技，讓電子元器件更好地服務于社會。

技術發展趨勢新型元器件將繼續向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環保節能方向發展。市場需求分析隨著下一代互聯網、新一代移動通信和數字電視的逐步商用，電子整機產業的升級換代將為電子材料和元器件產業的發展帶來巨大的市場機遇。“十一五”發展重點我國《電子基礎材料和關鍵元器件“十一五”專項規劃》重點強調新型元器件、新型顯示器件和電子材料作為主要分產業的發展目標。注：上表所列信息與數據引自商務部網站、國研網、統計局網站。

半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎，同時也已經發展稱為一個相對的高科技產業。徐匯區現代化電子元器件

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電子元件：指在工廠生產加工時不改變分子成分的成品。如電阻器、電容器、電感器。因為它本身不產生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。按分類標準，電子元件可分為11個大類。2、電子器件：指在工廠生產加工時改變了分子結構的成品。例如晶體管、電子管、集成電路。因為它本身能產生電子，對電壓、電流有控制、變換作用(放大、開關、整流、檢波、振蕩和調制等)，所以又稱有源器件。按分類標準，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。閔行區電子元器件設計

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