熱導率K在聲子傳熱中的關系式為：K=1/3cvλ；上式c為陶瓷體本身的熱容，v為聲子的平均運動速度，λ為聲子的平均自由程。材料本身的熱容（c）接近常數，氮化鋁的熱容大是氮化鋁的熱導率高的原因之一，聲子速度（v）與晶體密度和彈性力學性質有關，也可視為常數，所以，聲子的傳播距離（平均自由程），是影響很終宏觀上氮化鋁陶瓷的熱導率表現的關鍵。所以我們通過氮化鋁內部聲子的熱傳導機理可知，要想熱導率高，就要使聲子的傳播更遠（自由程大），也即減少傳播的阻力，這種阻力一般來自于聲子擴散過程中的各種散射。燒結后的陶瓷內部通常會有各種晶體缺陷、雜質、氣孔以及引入的第二相，這些因素的作用使聲子發生散射，也就影響了很終的熱導率。通過不斷研究證實，在眾多影響AlN陶瓷熱導率因素中，AlN陶瓷的顯微結構、氧雜質含量尤為突出。利用氮化鋁陶瓷能耐鐵、鋁等金屬和合金的溶蝕性能，可用作Al、Cu等金屬熔煉的坩堝和澆鑄模具材料。蘇州超細氮化鋁粉體廠家

氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結構的共價鍵化合物，晶格參數為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導體材料。氮化鋁(AlN)具有度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數、與硅匹配好等特性，不但用作結構陶瓷的燒結助劑或增強相，尤其是在近年來大火的陶瓷電子基板和封裝材料領域，其性能遠超氧化鋁。與其它幾種陶瓷材料相比較，氮化鋁陶瓷綜合性能優良，非常適用于半導體基片和結構封裝材料，在電子工業中的應用潛力非常巨大。理論上AlN熱導率可達320W·m-1·K-1，但由于AlN中的雜質和缺陷造成實際產品的熱導率還不到200W·m-1·K-1。這主要是由于晶體內的結構基元都不可能有完全嚴格的均勻分布，總是存在稀疏稠密的不同區域，所以載流聲子在傳播過程中，總會受到干擾和散射。湖州球形氮化鋁價格利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件。

氮化鋁陶瓷有哪些特性和應用呢：高導熱性和出色的電絕緣性使氮化鋁適用于各種極端環境。氮化鋁是一種高性能材料，特別適用于要求嚴苛的電氣應用。我們將較廣的技術理解與與客戶合作的承諾相結合，確保我們的材料解決方案滿足嚴格的規格，同時提供的性能。氮化鋁可以通過干壓和燒結或使用適當的燒結助劑通過熱壓生產，這些過程的結果是一種在包括氫氣和二氧化碳氣氛在內的一系列惰性環境中在高溫下穩定的材料。氮化鋁主要用于電子領域，特別是當散熱是一項重要功能時。氮化鋁的特性也使其特別適用于制造耐腐蝕產品。典型的氮化鋁特性包括：非常好的導熱性、熱膨脹系數與硅相似、良好的介電性能、良好的耐腐蝕性、在半導體加工環境中的穩定性。典型的氮化鋁應用包括：導熱片、電子基板、IC封裝、功率晶體管基極、微波器件封裝。

氮化鋁是共價鍵化合物，屬于六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，呈白色或灰白色。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。氮化鋁導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料。具有優異的抗熱震性。AlN的導熱率是Al2O3的2～3倍，熱壓時強度比Al2O3還高。氮化鋁對Al和其他熔融金屬、砷化鎵等具有良好的耐蝕性，尤其對熔融Al液具有極好的耐侵蝕性，還具有優良的電絕緣性和介電性質。但氮化鋁的高溫抗氧化性差，在大氣中易吸潮、水解，和濕空氣、水或含水液體接觸產生熱和氮并迅速分解。在2516℃分解，熱硬度很高，即使在分解溫度前也不軟化變形。氮化鋁和水在室溫下也能緩慢地進行反應，而被水解。和干燥氧氣在800℃以上進行反應。純凈的AlN陶瓷可以用作透明陶瓷制造電子光學器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。

生產方法：將氨和鋁直接進行氮化反應，經粉碎、分級制得氮化鋁粉末?；蛘邔⒀趸X和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。將高純度鋁粉脫脂(用抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后，放到鎳盤中，將盤放在石英或瓷制反應管內，在提純的氮氣流中慢慢地進行加熱。氮化反應在820℃左右時發出白光迅速地進行。此時，必須大量通氮以防止反應管內出現減壓。這個激烈的反應完畢后，在氮氣流中冷卻。由于產物內包有金屬鋁,可將其粉碎，并在氮氣流中于1100～1200℃溫度下再加熱1～2h，即得到灰白色氮化鋁。另外，將鋁在1200～1400℃下蒸發氣化，使其與氮氣反應即得到氮化鋁的須狀物(金屬晶須)。此外,也有將AlCl3·NH3加成物進行熱分解的制法。直接氮化法：將氮和鋁直接進行氮化反應，經粉碎、分級制得。氮化鋁產品質量受反應爐溫、原料的預混合以及循環氮化鋁粉末所占的混合比例、氮化鋁比表面積等條件的影響。因此需嚴格控制工藝過程，得到穩定特性的氮化鋁粉末(如比表面積、一次粒徑、凝聚粒徑、松密度和表面特性等)。根據氮化鋁的熱傳導性能，低致密度的樣品存在的大量氣孔，會影響聲子的散射。舟山電絕緣氮化鋁哪家好

氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大。蘇州超細氮化鋁粉體廠家

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優良的新型陶瓷材料，具有優良的熱傳導性、可靠的電絕緣性、低的介電常數和介電損耗、無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良特性，被認為是新一代高集程度半導體基片和電子器件封裝的理想材料，受到了國內外研究者的較廣重視。理論上，氮化鋁的熱導率接近于氧化鈹的熱導率，但由于氧化鈹有劇毒，在工業生產中逐漸被停止使用。與其它幾種陶瓷材料相比較，氮化鋁陶瓷綜合性能優良，非常適用于半導體基片和結構封裝材料，在電子工業中的應用潛力非常巨大。另外，氮化鋁還耐高溫，耐腐蝕，不為多種熔融金屬和融鹽所浸潤，因此，可用作高級耐火材料和坩堝材料，也可用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質的容器和處理器的里襯等。氮化鋁粉末還可作為添加劑加入各種金屬或非金屬中來改善這些材料的性能。高純度的氮化鋁陶瓷呈透明狀，可用作電子光學器件。氮化鋁還具有優良的耐磨耗性能，可用作研磨材料和耐磨損零件。蘇州超細氮化鋁粉體廠家