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奧地利光刻機化合物半導體應用

來源: 發布時間:2021-12-28

EVG的掩模對準系統含有:EVG610;EVG620 NT半自動/全自動掩模對準系統;EVG6200 NT半自動/全自動掩模對準系統;IQ Aligner 自動掩模對準系統;IQ Aligner NT自動掩模對準系統;


【EVG ® 610掩模對準系統】EVG

® 610是一個緊湊的和多用途R&d系統,可以處理小基板片和高達200毫米的晶片。

EVG ® 610技術數據:EVG610支持多種標準光刻工藝,例如真空,硬,軟和接近曝光模式,并可選擇背面對準功能。此外,該系統還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具,可滿足用戶需求的變化,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念可以適應從初學者到**級別的所有需求,因此使其非常適合大學和研發應用。 EVG光刻機最/新的曝光光學增強功能是對LED燈的設置。奧地利光刻機化合物半導體應用

IQ Aligner®

■   晶圓規格高達200 mm / 300 mm

■   某一時間內

(第/一次印刷/對準)> 90 wph / 80 wph

■   頂/底部對準精度達到 ± 0.5 μm / ± 1.0 μm

■   接近過程100/%無觸點

■   可選Ergoload 磁盤,SMIF或者FOUP

■   精/準的跳動補償,實現最/佳的重疊對準

■   手動裝載晶圓的功能

■   IR對準能力–透射或者反射

IQ Aligner® NT

■   零輔助橋接工具-雙基片,支持200mm和300mm規格

■   無以倫比的吞吐量(第/一次印刷/對準) > 200 wph / 160 wph

■   頂/底部對準精度達到 ± 250 nm / ± 500 nm

■   接近過程100/%無觸點

■   暗場對準能力/ 全場清/除掩模(FCMM)

■   精/準的跳動補償,實現最/佳的重疊對準

■   智能過程控制和性能分析框架軟件平臺 EVG620光刻機可以用于研發嗎HERCULES可以配置成處理彎曲,翹曲,變薄或非SEMI標準形狀的晶片和基片。

我們的研發實力。

EVG已經與研究機構合作超過35年,讓我們深入了解他們的獨特需求。我們專業的研發工具提供卓/越的技術和最/大的靈活性,使大學、研究機構和技術開發合作伙伴能夠參與多個研究項目和應用項目。此外,研發設備與EVG的**技術平臺無縫集成,這些平臺涵蓋從研發到小規模和大批量生產的整個制造鏈。研發和全/面生產系統之間的軟件和程序兼容性使研究人員能夠將其流程遷移到批量生產環境。以客戶的需求為導向,研發才具有價值,也是我們不斷前進的動力。

EVG ® 150光刻膠處理系統分配選項:

各種光刻膠分配泵,可覆蓋高達52000 cP的粘度

液體底漆/預濕/洗盤

去除邊緣珠(EBR)/背面沖洗(BSR)

恒壓分配系統/注射器分配系統

電阻分配泵具有流量監控功能

可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸

超音波

附加模塊選項

預對準:光學/機械

ID讀取器:條形碼,字母數字,數據矩陣


系統控制:

操作系統:Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數/離線程序編輯器

靈活的流程定義/易于拖放的程序編程

并行處理多個作業/實時遠程訪問,診斷和故障排除

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR EVG鍵合機掩模對準系列產品,使用的是最/先進的工程工藝。

IQ Aligner®NT特征:

零輔助橋接工具-雙基板概念,支持200

mm和300 mm的生產靈活性

吞吐量> 200 wph(首/次打印)

尖/端對準精度:

頂側對準低至250 nm

背面對準低至500 nm

寬帶強度> 120 mW /cm2(300毫米晶圓)

完整的明場掩模移動(FCMM)可實現靈活的圖案定位并兼容暗場掩模對準

非接觸式原位掩膜到晶圓接近間隙驗證

超平坦和快速響應的溫度控制晶片卡盤,出色的跳動補償

手動基板裝載能力

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統

遠程技術支持和GEM300兼容性

智能過程控制和數據分析功能[Framework Software Platform]

用于過程和機器控制的集成分析功能

設備和過程性能跟/蹤功能

并行/排隊任務處理功能

智能處理功能

發生和警報分析

智能維護管理和跟/蹤 EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動到自動的基片處理,能夠實現現場升級。奧地利光刻機化合物半導體應用

OmniSpray涂層技術是對高形晶圓表面進行均勻涂層。奧地利光刻機化合物半導體應用

EVG®610 掩模對準系統

■   晶圓規格

:100 mm / 150 mm / 200 mm

■   頂/底部對準精度達到 ± 0.5 μm / ± 1.0 μm

■   用于雙面對準高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡

■   軟件,硬件,真空和接近式曝光

■   自動楔形補償

■   鍵合對準和NIL可選

■   支持最/新的UV-LED技術

EVG®620 NT / EVG®6200 NT

掩模對準系統(自動化和半自動化)

■   晶圓產品規格

:150 mm / 200 mm

■   接近式楔形錯誤補償

■   多種規格晶圓轉換時間少于5分鐘

■   初次印刷高達180 wph / 自動對準模式為140 wph

■   可選**的抗震型花崗巖平臺

■   動態對準實時補償偏移

■   支持最/新的UV-LED技術 奧地利光刻機化合物半導體應用

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