EVG®501鍵合機特征:
獨特的壓力和溫度均勻性;
兼容EVG機械和光學對準器;
靈活的研究設計和配置;
從單芯片到晶圓;
各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);
可選的渦輪泵(<1E-5mbar);
可升級用于陽極鍵合;
開室設計,易于轉換和維護;
兼容試生產,適合于學校、研究所等;
開室設計,易于轉換和維護;
200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8平方米;
程序與EVG的大批量生產鍵合系統(tǒng)完全兼容。
EVG®501鍵合機技術數(shù)據(jù)
蕞大接觸力為20kN
加熱器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸單芯片100毫米
真空
標準:0.1毫巴
可選:1E-5mbar
EVG鍵合機支持全系列晶圓鍵合工藝,這對于當今和未來的器件制造是至關重要。福建CMOS鍵合機
目前關于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。
本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現(xiàn)表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。
在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質量。 HVM鍵合機研發(fā)生產EVG501鍵合機:桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。
什么是長久鍵合系統(tǒng)呢?
EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或高級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。
共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質層,通過加熱熔融產生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此,中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力,同時鈦也具有阻擋擴散層的作用, 可以阻止金向硅中擴散[10,11]。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準。
EVG®320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)
用途:自動單晶片清洗系統(tǒng),可有效去除顆粒
EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外,配置選項還包括兆頻,刷子和稀釋的化學藥品清洗。
特征
多達四個清潔站
全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理
可進行雙面清潔的邊緣處理(可選)
使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔
先進的遠程診斷
防止從背面到正面的交叉污染
完全由軟件控制的清潔過程 GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。山東鍵合機報價
自動鍵合系統(tǒng)EVG?540,擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。福建CMOS鍵合機
SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng),用于通用對準。
全自動鍵合對準系統(tǒng),采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。
用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在嶺先技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結合使用,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。
特征:
適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。
用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 福建CMOS鍵合機
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