GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的。EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機(jī)

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 廣西鍵合機(jī)試用旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

      晶圓級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造，封裝和測(cè)試的集成，從而簡化制造過程。縮短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。

      晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣 泛的高級(jí)產(chǎn)品中。晶圓級(jí)封裝的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。

      岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī)，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝的功能。

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常僅應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí)，然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

EVG?501晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。半導(dǎo)體鍵合機(jī)參數(shù)

除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā)，中試和批量生產(chǎn)。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機(jī)

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。內(nèi)蒙古三維芯片鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，是一家其他型公司。公司自成立以來，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)深受客戶的喜愛。公司從事儀器儀表多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批獨(dú)立的專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)立足于全國市場(chǎng)，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。