EVG ® 6200 NT掩模對準系統(半自動/自動)
特色:EVG ® 6200 NT掩模對準器為光學雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。
技術數據:EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在**小的占位面積上提供**/先進的掩模對準技術,并具有**/高的產能,先進的對準功能和優化的總擁有成本。操作員友好型軟件,**短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持使它成為任何制造環境的理想解決方案。EVG6200 NT或完全安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能,可在廣/泛的應用中實現出色的曝光效果,例如薄和厚光刻膠的曝光,深腔和類似地形的圖案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半導體)的加工。此外,半自動和全自動系統配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。 HERCULES可以配置成處理彎曲,翹曲,變薄或非SEMI標準形狀的晶片和基片。中科院光刻機優惠價格
EVG ® 150特征:晶圓尺寸可達300毫米
多達6個過程模塊
可自定義的數量-多達20個烘烤/冷卻/汽化堆
多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載
可用的模塊包括旋轉涂層,噴涂,NanoCoat?,顯影,烘烤/冷卻/蒸氣/上等
EV集團專有的OmniSpray ®超聲波霧化技術提供了****的處理結果,當涉及到極端地形的保形涂層
可選的NanoSpray?模塊實現了300微米深圖案的保形涂層,長寬比**/高為1:10,垂直側壁
廣/泛的支持材料
烘烤模塊溫度高達250°C
Megasonic技術用于清潔,聲波化學處理和顯影,可提高處理效率并將處理時間從數小時縮短至數分鐘
臺積電光刻機樣機試用HERCULES對準精度:上側對準:≤±0.5 μm;底側對準:≤±1,0 μm;紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基材。
HERCULES 光刻軌道系統特征:
生產平臺以**小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統的所有優勢;
多功能平臺支持各種形狀,尺寸,高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動處理;
高達52,000 cP的涂層可制造高度高達300微米的超厚光刻膠特征;
CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗并優化光刻膠涂層的均勻性;
OmniSpray ®涂覆用于高地形表面的優化的涂層;
納流®涂布,并通過結構的保護;
自動面膜處理和存儲;
光學邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒;
使用橋接工具系統對多種尺寸的晶圓進行易碎,薄或翹曲的晶圓處理;
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統;
多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同的用戶界面語言)。
我們的研發實力。
EVG已經與研究機構合作超過35年,讓我們深入了解他們的獨特需求。我們專業的研發工具提供卓/越的技術和**/大的靈活性,使大學、研究機構和技術開發合作伙伴能夠參與多個研究項目和應用項目。此外,研發設備與EVG的**技術平臺無縫集成,這些平臺涵蓋從研發到小規模和大批量生產的整個制造鏈。研發和全/面生產系統之間的軟件和程序兼容性使研究人員能夠將其流程遷移到批量生產環境。以客戶的需求為導向,研發才具有價值,也是我們不斷前進的動力。 除了光刻機之外,岱美還代理了EVG的鍵合機等設備。
EVG的光刻機技術:EVG在光刻技術上的關鍵能力在于其掩模對準器的高產能,接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統的內部處理的相關知識。EVG的所有光刻設備平臺均支持300毫米的晶圓,可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統中,并配有用于從上到下的側面對準驗證的度量工具。
EVG不斷展望未來的市場趨勢,因此提供了針對特定應用的解決方案,尤其是在光學3D傳感和光子學市場中,其****的EVG的工藝和材料專業知識-源自對各種光刻膠材料進行的廣/泛優化研究。了解客戶需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解決方案成功的重要因素。 EVG100系列光刻膠處理系統為光刻膠涂層和顯影建立了質量和靈活性方面的新的標準。浙江光刻機高性價比選擇
整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。中科院光刻機優惠價格
EVG ® 105—晶圓烘烤模塊
設計理念:單機EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。
特點:可以在EVG105烘烤模塊上執行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環境可確保均勻蒸發。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。
特征
**烘烤模塊
晶片尺寸**/大為300毫米,或同時**多四個100毫米晶片
溫度均勻性≤±1°C @ 100°C,**/高250°C烘烤溫度
用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷
烘烤定時器
基材真空(直接接觸烘烤)
N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選
不規則形狀的基材
技術數據
晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米
烤盤:
溫度范圍:≤250°C
手動將升降桿調整到所需的接近間隙
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