接觸探頭測量彎曲和難測的表面
CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結實耐用的不銹鋼單線圈。
CP-1-AR-1.3可以抑 制背面反射，對 1.5mm 厚的基板可抑 制 96%。 鋼制單線圈外加PVC涂層，比較大可測厚度 15um。
CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑 17.5mm。
CP-C6-1.3探測直徑小至 6mm 的圓柱形和球形樣品外側。
CP-C12-1.3用于直徑小至 12mm 圓柱形和球形樣品外側。
CP-C26-1.3用于直徑小至 26mm 圓柱形和球形樣品外側。
CP-BendingRod-L350-2彎曲長度 300mm，總長度 350mm 的接觸探頭。 用于難以到達的區域，但不會自動對準表面。
CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內壁的接觸探頭。
CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑**小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑 3mm 管子的內壁，不能自動對準表面。
CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔 10mm 的兩個平坦表面之間進行測量。 F20-EXR測厚范圍：15nm - 250μm；波長：380-1700nm。光干涉膜厚儀實際價格
參考材料
備用 BK7 和二氧化硅參考材料。
BG-Microscope顯微鏡系統內取背景反射的小型抗反光鏡
BG-F10-RT平臺系統內獲取背景反射的抗反光鏡
REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準
REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準
REF-BK71?" x 1?" BK7 反射基準。
REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經處理的石英，用于雙界面基準。
REF-Si-22" 單晶硅晶圓
REF-Si-44" 單晶硅晶圓
REF-Si-66" 單晶硅晶圓
REF-Si-88" 單晶硅晶圓
REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設計之鋁反射率基準片
REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設計之BK7玻璃反射率基準片
REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設計之硅反射率基準片 Filmetrics Profilm3D膜厚儀研發可以用嗎F30測厚范圍：15nm-70μm；波長：380-1050nm。
更可加裝至三個探頭，同時測量三個樣品，具紫外線區或標準波長可供選擇。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外，可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作臺，由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通過快速掃瞄功能，可取得整片樣品厚度分布情況(mapping)。F70:*通過在F20基本平臺上增加鏡頭，使用Filmetrics*新的顏色編碼厚度測量法（CTM），把設備的測量范圍極大的拓展至。F10-RT：在F20實現反射率跟穿透率的同時測量，特殊光源設計特別適用于透明基底樣品的測量。PARTS：在垂直入射光源基礎上增加70o光源，特別適用于超薄膜層厚度和n、k值測量。**膜厚測量儀系統F20使用F20**分光計系統可以簡便快速的測量厚度和光學參數（n和k）。您可以在幾秒鐘內通過薄膜上下面的反射比的頻譜分析得到厚度、折射率和消光系數。任何具備基本電腦技術的人都能在幾分鐘內將整個桌面系統組裝起來。F20包括所有測量需要的部件：分光計、光源、光纖導線、鏡頭**和Windows下運行的軟件。您需要的只是接上您的電腦。膜層實例幾乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能測。包括：sio2（二氧化硅）sinx（氮化硅）dlc（類金剛石碳）photoresist。
FSM 413 紅外干涉測量設備
關鍵詞：厚度測量，光學測厚，非接觸式厚度測量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測厚，近紅外光測厚，TSV, CD, Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測量，石英厚度，聚合物厚度, 背磨厚度，上下兩個測試頭。Michaelson干涉法，翹曲變形。
如果您對該產品感興趣的話，可以給我留言！
產品名稱：紅外干涉厚度測量設備
· 產品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP，FSM413C2C, FSM 8108 VITE C2C
如果您需要更多的信息，請聯系我們岱美儀器。 可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)。
技術介紹：
紅外干涉測量技術, 非接觸式測量。采用Michaelson干涉方法，紅外波段的激光能更好的穿透被測物體，準確的得到測試結果。
產品簡介：FSM 413EC 紅外干涉測量設備
適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
應用:
襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)
平整度
溝槽深度
過孔尺寸、深度、側壁角度
粗糙度
薄膜厚度
硅片厚度
環氧樹脂厚度
襯底翹曲度
晶圓凸點高度(bump height)
MEMS 薄膜測量
TSV 深度、側壁角度...
系統測試應力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ，全自動的200mm和300mm硅片檢查，自動檢驗和聚焦的能力。晶圓膜厚儀原理
F10-AR在用戶定義的任何波長范圍內都能進行比較低、比較高和平均反射測試。光干涉膜厚儀實際價格
厚度標準：
所有 Filmetrics 厚度標準都是得到驗證可追溯的 NIST 標準。
S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的 NIST 厚度校準。
TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約 3100A，4" 晶圓。
TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約 10000A，4" 晶圓。
TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂層厚度標準，厚度大約 4um，直徑 2"。
TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂層，可用于透射測量。
TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約 4um ，直徑2"。
TS-Parylene-8um：硅基上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約 8um，23mm x 23mm。
TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度標準，厚度大約 7200A，4" 晶圓。
TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度標準。
TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅標準: 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%誤差)，6英寸晶圓。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3樣品平臺設計之二氧化硅厚度標準片,厚度大約為 8000A。 光干涉膜厚儀實際價格
岱美儀器技術服務（上海）有限公司總部位于中國(上海)自由貿易試驗區加太路39號第五層六十五部位，是一家磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】的公司。岱美儀器技術服務擁有一支經驗豐富、技術創新的專業研發團隊，以高度的專注和執著為客戶提供磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發。岱美儀器技術服務致力于把技術上的創新展現成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。岱美儀器技術服務始終關注儀器儀表市場，以敏銳的市場洞察力，實現與客戶的成長共贏。