F50 系列

包含的內容：集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4", 6" and 200mm 參考晶圓TS-SiO2-4-7200 厚度標準BK7 參考材料整平濾波器 (用于高反射基板)真空泵備用燈

型號 厚度范圍*波長范圍

F50：20nm-70μm 380-1050nm

F50-UV：5nm-40μm 190-1100nm

F50-NIR：100nm-250μm 950-1700nm

F50-EXR：20nm-250μm 380-1700nm

F50-UVX：5nm-250μm 190-1700nm

F50-XT：0.2μm-450μm 1440-1690nm

F50-s980：4μm-1mm 960-1000nm

F50-s1310：7μm-2mm 1280-1340nm

F50-s1550：10μm-3mm 1520-1580nm

額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫, 隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃 可測量的層數: 通常能夠測量薄膜堆內的三層**薄膜。 在某些情況下，能夠測量到十幾層。膜厚測量儀膜厚儀應用

    光纖紫外線、可見光譜和近紅外備用光纖。接觸探頭是相當堅固的，但是光纖不能經常被抽屜碰撞或者被椅子壓過。該套件包括指令，以及簡單的維修工具，新的和舊風格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米長，直徑200um的光纖，兩端配備SMA接頭。米長，分叉反射探頭。

通用附件攜帶箱等。手提電腦手提電腦預裝FILMeasure軟件、XP和Microsoft辦公軟件。

電腦提箱用于攜帶F10、F20、F30和F40系統的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通，"conflat、雙出入孔SMA，并通過泄漏測試。LensPaper-CenterHole**開孔鏡頭紙，用于保護面朝下的樣品，5本各100張。 聯電膜厚儀報價F30測厚范圍：15nm-70μm；波長：380-1050nm。

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術用來尋找并確定集成電路內的故障原因。

故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質薄化后剩余電介質的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸**小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。

測量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系統測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

參考材料

備用 BK7 和二氧化硅參考材料。

BG-Microscope顯微鏡系統內取背景反射的小型抗反光鏡

BG-F10-RT平臺系統內獲取背景反射的抗反光鏡

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準

REF-BK71?" x 1?" BK7 反射基準。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經處理的石英，用于雙界面基準。

REF-Si-22" 單晶硅晶圓

REF-Si-44" 單晶硅晶圓

REF-Si-66" 單晶硅晶圓

REF-Si-88" 單晶硅晶圓

REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設計之鋁反射率基準片

REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設計之BK7玻璃反射率基準片

REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設計之硅反射率基準片 Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產品一樣測繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產環境的功能。

F50 系列自動化薄膜測繪Filmetrics F50 系列的產品能以每秒測繪兩個點的速度快速的測繪薄膜厚度。一個電動R-Theta 平臺可接受標準和客制化夾盤，樣品直徑可達450毫米。(耐用的平臺在我們的量產系統能夠執行數百萬次的量測!)

測繪圖案可以是極座標、矩形或線性的，您也可以創造自己的測繪方法，并且不受測量點數量的限制。內建數十種預定義的測繪圖案。

不同的 F50 儀器是根據波長范圍來加以區分的。 標準的 F50是很受歡迎的產品。 一般較短的波長 (例如， F50-UV) 可用于測量較薄的薄膜，而較長的波長則可以用來測量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 F20-XT膜厚范圍：0.2μm - 450μm；波長：1440-1690nm。硬涂層膜厚儀實際價格

F10-AR在用戶定義的任何波長范圍內都能進行比較低、比較高和平均反射測試。膜厚測量儀膜厚儀應用

    光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學常數測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應用半導體制造液晶顯示器光學鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數據。標準配置和規格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準確度大于％或2nm精度1A2A1A穩定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素燈。膜厚測量儀膜厚儀應用

岱美儀器技術服務（上海）有限公司總部位于中國(上海)自由貿易試驗區加太路39號第五層六十五部位，是一家磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】的公司。岱美儀器技術服務擁有一支經驗豐富、技術創新的專業研發團隊，以高度的專注和執著為客戶提供磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發。岱美儀器技術服務致力于把技術上的創新展現成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。岱美儀器技術服務始終關注儀器儀表市場，以敏銳的市場洞察力，實現與客戶的成長共贏。