EVG的掩模對準系統含有:EVG610;EVG620 NT半自動/全自動掩模對準系統;EVG6200 NT半自動/全自動掩模對準系統;IQ Aligner 自動掩模對準系統;IQ Aligner NT自動掩模對準系統;
【EVG ® 610掩模對準系統】EVG
® 610是一個緊湊的和多用途R&d系統,可以處理小基板片和高達200毫米的晶片。
EVG ® 610技術數據:EVG610支持多種標準光刻工藝,例如真空,硬,軟和接近曝光模式,并可選擇背面對準功能。此外,該系統還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具,可滿足用戶需求的變化,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念可以適應從初學者到**級別的所有需求,因此使其非常適合大學和研發應用。 可在眾多應用場景中找到EVG的設備應用,包括高級封裝,化合物半導體,功率器件,LED,傳感器和MEMS。中芯國際光刻機技術原理
EVG ® 610特征:
晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''
頂側和底側對準能力
高精度對準臺
自動楔形補償序列
電動和程序控制的曝光間隙
支持**/新的UV-LED技術
**小化系統占地面積和設施要求
分步流程指導
遠程技術支持
多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同的用戶界面語言)
便捷處理和轉換重組
臺式或帶防震花崗巖臺的單機版
EVG ® 610附加功能:
鍵對準
紅外對準
納米壓印光刻(NIL)
EVG ® 610技術數據:
對準方式
上側對準:≤±0.5 μm
底面要求:≤±2,0 μm
紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基板材料
鍵對準:≤±2,0 μm
NIL對準:≤±2,0 μm 廣東光刻機可以試用嗎EVG100光刻膠處理系統可以處理多種尺寸的基板,直徑從2寸到300 mm。
光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的核心競爭力在于其掩模對準系統(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂層平臺(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中,并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝:在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ;在EVG的IQ
Aligner NT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑;負側壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結構的中間;用于LIGA結構的高縱橫比結構,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果;西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。
EVG ® 610曝光源:
汞光源/紫外線LED光源
楔形補償
全自動軟件控制
晶圓直徑(基板尺寸)
高達100/150/200毫米
曝光設定:
真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式
曝光選項:
間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光
先進的對準功能:
手動對準/原位對準驗證
手動交叉校正
大間隙對準
EVG ® 610光刻機系統控制:
操作系統:Windows
文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數
多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR
實時遠程訪問,診斷和故障排除
使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線” EVG光刻機設備,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中,并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。
EVG鍵合機掩模對準系列產品,使用**/先進的工程技術。
用戶對接近式對準器的主要需求由幾個關鍵參數決定。亞微米對準精度,掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙,以及對應于抗蝕劑靈敏度的已經明確定義且易于控制的曝光光譜是**重要的標準。此外,整個晶圓表面的高光強度和均勻性是設計和不斷增強EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。創新推動了我們的日常業務的發展和提升我們的理念,使我們能夠跳出思維框架,創造更先進的系統。 HERCULES 全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時、大間隙、晶圓平面或紅外對準,在可編程位置自動定位。陜西晶片光刻機
整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。中芯國際光刻機技術原理
EVG ® 105—晶圓烘烤模塊
設計理念:單機EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。
特點:可以在EVG105烘烤模塊上執行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環境可確保均勻蒸發。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。
特征
**烘烤模塊
晶片尺寸**/大為300毫米,或同時**多四個100毫米晶片
溫度均勻性≤±1°C @ 100°C,**/高250°C烘烤溫度
用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷
烘烤定時器
基材真空(直接接觸烘烤)
N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選
不規則形狀的基材
技術數據
晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米
烤盤:
溫度范圍:≤250°C
手動將升降桿調整到所需的接近間隙
中芯國際光刻機技術原理
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