晶圓級封裝在封裝方式上與傳統制造不同。該技術不是將電路分開然后在繼續進行測試之前應用封裝和引線,而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣,用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術。通過熔化附著在元件上的焊球,將表面安裝器件直接應用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設備類似地使用。例如,它們通常可以在卷帶機上購買,以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統。 在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。官方授權經銷鍵合機國內代理
長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業內掀起了市場geming。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 江蘇鍵合機技術服務自動晶圓鍵合機系統EVG?560,擁有多達4個鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。
針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環境要求苛刻等問題。高低溫循環測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現圖形化、應力匹配度高等優點。
1)由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環測試結果可以看出,該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境,且具有工藝溫度低,容易實現圖形化,應力匹配度高等優點。3)由破壞性試驗結果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進一步優化,對工藝參數進行改進,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 我們的服務包括通過安全的連接,電話或電子郵件,對包括現場驗證,進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。
EVG®501鍵合機特征:獨特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機械和光學對準器;靈活的研究設計和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級用于陽極鍵合;開室設計,易于轉換和維護;兼容試生產,適合于學校、研究所等;開室設計,易于轉換和維護;200mm鍵合系統的ZUI小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容。EVG®501鍵合機技術數據ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準:0.1毫巴可選:1E-5mbar 晶圓級涂層、封裝,工程襯底zhi造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。EV Group鍵合機原理
EVG鍵合機可配置為黏合劑、陽極、直接/熔融、玻璃料、焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散、熱壓縮工藝。官方授權經銷鍵合機國內代理
EVG®6200BA自動鍵合對準系統 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統,用于中等和批量生產 特色 技術數據 EVG鍵合對準系統提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面官方授權經銷鍵合機國內代理