ZiptronixInc.與EVGroup（簡稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當的對準和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設備經過優化后實現了一致的亞微米鍵合后對準精度，此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產(HVM)鋪平了道路。” 清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒。RF濾波器鍵合機三維芯片應用

EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數據晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域：? 4.0mm材質：聚四氟乙烯安徽EVG805鍵合機業內主流鍵合機使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當夏流行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。 

針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環境要求苛刻等問題。高低溫循環測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現圖形化、應力匹配度高等優點。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質層，通過加熱熔融產生金屬—半導體共晶相來實現。因此，中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。 EVG的 GEMINI系列，在ZUI小占地面積上，一樣利用EVG ZUI高精度的Smart View NT對準技術。新疆鍵合機用途是什么

晶圓鍵合系統EVG501是適用于學術界和工業研究的多功能手動晶圓鍵合設備。RF濾波器鍵合機三維芯片應用

EVG®501晶圓鍵合機（系統） ■研發和試生產的蕞/低購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統，可實現蕞/高產量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數據記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設計，可實現快速轉換和維護 ■Windows®操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統，只有0.88m2 EVG®510晶圓鍵合機（系統） ■擁有EVG®501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統 ■研發和試生產的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現高產量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統 ■高產量，加速加熱和優異的泵送能力RF濾波器鍵合機三維芯片應用