成都厚膜光刻膠生產(chǎn)廠家

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2025-06-05

感光機(jī)制

? 重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過(guò)交聯(lián)反應(yīng)固化，適用于精細(xì)圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。

? SBQ型（單液型）：預(yù)混光敏劑，無(wú)需調(diào)配，感光度高（曝光時(shí)間縮短30%），適合快速制版（如服裝印花）。

? 環(huán)保型：采用無(wú)鉻配方（如CN10243143A），通過(guò)多元固化體系（熱固化+光固化）實(shí)現(xiàn)12-15mJ/cm2快速曝光，分辨率達(dá)2μm，符合歐盟REACH標(biāo)準(zhǔn)。

功能細(xì)分

? 耐溶劑型：如日本村上AD20，耐酒精、甲苯等溶劑，適用于電子油墨印刷。

? 耐水型：如瑞士科特1711，抗水性強(qiáng)，適合紡織品水性漿料。

? 厚版型：如德國(guó)K?ppen厚版膠，單次涂布可達(dá)50μm，用于立體印刷。

典型應(yīng)用場(chǎng)景：

? PCB制造：使用360目尼龍網(wǎng)+重氮感光膠，配合LED曝光（405nm波長(zhǎng)），實(shí)現(xiàn)0.15mm線寬，耐酸性蝕刻液。

? 紡織印花：圓網(wǎng)制版采用9806A型感光膠，涂布厚度20μm，耐堿性染料色漿，耐印率超10萬(wàn)次。

? 包裝印刷：柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材，UV-LED曝光+無(wú)溶劑工藝，碳排放降低40%。

松山湖光刻膠廠家吉田，2000 萬(wàn)級(jí)產(chǎn)能，48小時(shí)極速交付!成都厚膜光刻膠生產(chǎn)廠家

“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證

吉田半導(dǎo)體與中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制，針對(duì)28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過(guò)中芯國(guó)際北京廠的產(chǎn)線驗(yàn)證，良率達(dá)95%以上。此外，公司參與國(guó)家重大專項(xiàng)（如02專項(xiàng)），與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎(chǔ)材料，雖未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但在酸擴(kuò)散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。

政策支持與成本優(yōu)勢(shì)

作為廣東省專精特新企業(yè)，吉田半導(dǎo)體享受稅收優(yōu)惠（如15%企業(yè)所得稅）和研發(fā)補(bǔ)貼（2023年獲得國(guó)家補(bǔ)助超2000萬(wàn)元），比較明顯降低產(chǎn)品研發(fā)成本。同時(shí)，其本地化生產(chǎn)（東莞松山湖基地）可將物流成本壓縮至進(jìn)口產(chǎn)品的1/3，并實(shí)現(xiàn)48小時(shí)緊急訂單響應(yīng)，這對(duì)中小客戶具有吸引力。

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吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國(guó)產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展

自主研發(fā) ArF 光刻膠通過(guò)中芯國(guó)際驗(yàn)證，吉田半導(dǎo)體填補(bǔ)國(guó)內(nèi)光刻膠空白。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達(dá) 90nm，適用于 14nm 及以上制程，已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證。該產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與自主配方，突破日本企業(yè)對(duì) ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產(chǎn)率提升 30%，蝕刻選擇比達(dá) 4:1，性能對(duì)標(biāo)日本信越的 ArF 系列。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國(guó)產(chǎn)芯片制造材料自主化進(jìn)程，為國(guó)內(nèi)晶圓廠提供高性價(jià)比解決方案。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借技術(shù)創(chuàng)新與質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產(chǎn)品，其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境，適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造；LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細(xì)度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外，公司還提供焊片、靶材等配套材料，滿足客戶多元化需求。

在技術(shù)層面，吉田半導(dǎo)體通過(guò)自主研發(fā)與國(guó)際合作結(jié)合，持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)全流程自動(dòng)化控制。其生產(chǎn)基地配備先進(jìn)設(shè)備，并嚴(yán)格執(zhí)行國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，確保產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際水平。同時(shí)，公司注重人才培養(yǎng)與引進(jìn)，匯聚化工、材料學(xué)等領(lǐng)域的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，為技術(shù)創(chuàng)新提供堅(jiān)實(shí)支撐。未來(lái)，吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以 “中國(guó)前列半導(dǎo)體材料方案提供商” 為愿景，推動(dòng)行業(yè)技術(shù)升級(jí)與國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

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正性光刻膠

半導(dǎo)體分立器件制造：對(duì)于二極管、三極管等半導(dǎo)體分立器件，正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工，滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時(shí)，正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對(duì)比度，能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu)，提高器件性能。
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等，結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過(guò)程中的光刻步驟，可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu)，確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn)。

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技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)

更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問(wèn)題（目標(biāo)＜5nm），通過(guò)納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。

缺陷控制：

? 半導(dǎo)體級(jí)正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個(gè)/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級(jí)過(guò)濾+真空蒸餾）。

國(guó)產(chǎn)化突破：

? 國(guó)內(nèi)企業(yè)（如上海新陽(yáng)、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國(guó)陶氏、德國(guó)默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機(jī)溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。

? DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國(guó)際認(rèn)證的國(guó)產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點(diǎn)）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。

正性光刻膠是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破，未來(lái)將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn)。

成都厚膜光刻膠生產(chǎn)廠家

標(biāo)簽：錫膏錫片光刻膠

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吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國(guó)產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展

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